Электрофизические свойства полупроводников

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ И ТИРИСТОРЫ часть 2

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ И ТИРИСТОРЫ часть 1

P- N- ПЕРЕХОД КАК ОСНОВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И ТРАНЗИСТОРОВ

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Конспект курса

Е.И. Бочаров, Г.Б. Гогоберидзе, Ю.М. Першин, К.С. Петров, А.Н. Штагер

Курс лекций

СОВРЕМЕННАЯ НАУЧНАЯ КАРТИНА МИРА

АННА НИКОЛАЕВНА ДЕВЯТЛОВСКАЯ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Концепции современного естествознания [Текст]: учебник для студ. / УМО; под ред. Л. А. Михайлова. - М.: Питер, 2009. - 334 с

2 Вопилова, Л. В. Концепции современного естествознания [Текст]: учеб. пособие для самостоятельной работы студ. / Л. В. Вопилова, Е. Ю. Юшкова. - Красноярск: СибГТУ, 2008. - 72 с. - Б. ц.

3 Концепции современного естествознания [Текст]: учебник для студ. / УМО; под ред. Л. А. Михайлова. - М.: Питер, 2009. - 334 с. - ISBN 978-5-91180-778-8: 220.50 р.

4 Концепции современного естествознания [Текст]: метод. указания для контр. работ студ. спец. 060500, 061100, 350500, 062100 заочной формы обуч. / сост. Л. В. Вопилова, Е. Ю. Юшкова. - Красноярск: СибГТУ, 2010. - 44 с. - Б. ц

Курс лекций для студентов

направления 040400.62

очной, заочной форм обучения.

Отв.редактор доц. В.М. Ларченко

Научно-методический совет Лф СибГТУ

662543, г. Лесосибирск, ул. Победы д. 29

[1] К — кельвин, единица измерения температуры. Соотношение между температурой в Кельвинах (Т) и температурой, выраженной в градусах Цельсия (t°), следующее: T = t° + 273,15.

ЭЛЕКТРОННЫЕ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

(часть 1)

СОДЕРЖАНИЕ:

1.1. СОБСТВЕННЫЕ И ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

1.2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.3. РАСЧЕТ РАВНОВЕСНОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

1.4. HЕPАВНОВЕСНОЕ СОСТОЯНИЕ ПОЛУПPОВОДНИКА

1.5. ТОКИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

2.1. P-N-ПЕРЕХОД В ОТСУТСТВИЕ ВНЕШНЕГО НАПРЯЖЕНИЯ

2.2. P-N-ПЕРЕХОД ПРИ ПОДАЧЕ ВНЕШНЕГО НАПРЯЖЕНИЯ

2.3. ВАХ РЕАЛЬНОГО P-N-ПЕРЕХОДА

2.4. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ВАХ P-N-ПЕРЕХОДА

2.5. ЕМКОСТИ P-N-ПЕРЕХОДА

3.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

3.2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

3.3. РАСЧЕТ ТОКОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.4. НЕЛИНЕЙНЫЕ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.5. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.6. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА РАБОТУ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.7. ПРОБОЙ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.8. ПРИМЕНЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ

3.9. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ЗАМЕЩЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА

3.10. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.11. ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ

3.12. ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

3.13. ТИРИСТОРЫ

Полупроводниками являются вещества, занимающие по величине удельной проводимости промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Эти вещества обладают как свойствами проводника, так и свойствами диэлектрика. Вместе с тем они обладают рядом специфических свойств, резко отличающих их от проводников и диэлектриков, основным из которых является сильная зависимость удельной проводимости от воэдействия внешних факторов (температуры, света, электрического поля и др.)
К полупроводникам относятся элементы четвертой группы периодической таблицы Менделеева, а также химические соединения элементов третьей и пятой групп типа A^III B^V (GaAs, InSb) и второй и шестой групп типа A^II B ^VI (CdS, BbS, CdFe). Ведущее место среди полупроводниковых материалов, используемых в полупроводниковой электронике, занимают кремний, германий и арсенид галлия GaAs.

Дата добавления: 2014-01-06