Полевой транзистор с p-n переходом

Полевые транзисторы

Схема с общей базой

Схема показана на рис. 40. Соотношения для токов:

Iк=aIэ.

Т.к. a близко 1, то Iк»Iэ. Из последнего равенства следует, что это повторитель тока. Схема обладает усилением по напряжению и по мощности. Схема применяется сравнительно редко. Одно из применений: как источник пилообразного напряжения - рис. 41. Ток эмиттера:

Iэ=Uэ/Rэ.

Величины Uэ и Rэ заданы и постоянны, поэтому Iэ=Iк=const. Т.о. конденсатор заряжается постоянным током. Напряжение на конденсаторе

Uc=(1/С)ò ic dt.

Т.к. ic=Iк=const, то Uc=Iк×t/С – это прямая линия. Для периодического сброса напряжения на конденсаторе до нуля применяется дополнительный транзисторный ключ, включаемый параллельно конденсатору.

(или униполярные, или канальные транзисторы)

Биполярные транзисторы управляются током, полевые транзисторыуправляются напряжением. Различают следующие типы полевых транзисторов: полевые транзисторы с управляющим p-n переходом; полевые транзисторы с изолированным затвором.

Его структура показана на рис. 43. Обозначение выводов: С-сток, З-затвор, И-исток. Обозначение на схеме представлено на рис. 44.

Изображенный на рис.43 и 44 транзистор называется полевой транзистор с p-n переходом и каналом n-типа. Ток через канал образуется за счет основных носителей. При n-канале - за счет электронов. Управляющей цепью является цепь

затвор-исток (З-И). Управляемой цепью является С-И. С помощью Uзи регулируется ширина канала, его проводимость, ток через него. При подаче отрицательного напряжения на затвор в области p-n перехода образуется обедненный слой (как у диода, смещенного в обратном направлении). Чем шире обедненный слой, тем уже канал, по которому могут проходить электроны от истока к стоку, т.к. обедненный слой, лишенный свободных носителей ведет себя как изолятор.

В отличие от биполярного транзистора ток, текущий через полевой транзистор, образуется только основными носителями, поэтому такой транзистор называют униполярным. Он в меньшей степени подвержен влиянию температуры и радиации, т.к. этими факторами определяется концентрация неосновных носителей.

Полевой транзистор с p-n переходом и каналом p-типа показан на рис. 45.

Дата добавления: 2014-01-06