Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Тенденции развития полупроводниковых запоминающих устройств

По мере повышения возможностей вычислительных средств растут и «аппетиты» программных приложений относительно емкости основной памяти. Эту ситуацию отражает так называемый закон Паркинсона: «Программное обеспечение увели­чивается в размерах до тех пор, пока не заполнит всю доступную на данный мо­мент память». В цифрах тенденция возрастания требований к емкости памяти выглядит так: увеличение в полтора раза каждые два года. Основная память совре­менных ВМ и ВС формируется из СБИС полупроводниковых запоминающих ус­тройств, главным образом динамических ОЗУ. Естественные требования к таким СБИС: высокие плотность упаковки запоминающих элементов и быстродействие, низкая стоимость.

Плотность упаковки запоминающих элементов на кристалле динамического ОЗУ принято характеризовать емкостью хранимой информации в битах. Пред­ставление о современном состоянии и перспективах на ближайшее будущее дает график, приведенный на рис.16. Для СБИС памяти также подтверждается спра­ведливость закона Мура и предсказанное им уменьшение темпов повышения плот­ности упаковки. В целом можно предсказать, чточисло запоминающих элементов на кристалле будет возрастать в два раза каждые полтора года, запоминающих устройств основной памяти.

 

Рис.16.Тенденция увеличения количества запоминающих элементов на кристалле СБИС динамических запоминающих устройств

Рис.17.Разрыв в производительности процессоров и динамических запоминающих устройств

 

Проблема постоянно усугубляется несоответствием темпов роста тактовой частоты процессоров и быстродействия па­мяти, и особых перспектив в этом плане пока не видно, что иллюстрирует рис.17. Абсолютные темпы снижения длительности цикла памяти, начиная с 1980 года, показаны на рис.18. Общая тенденция;на двукратное уменьшение длительно­сти цикла динамического ЗУ уходит примерно 15 лет.

Рис.18. Быстродействие микросхем динамической памяти

В плане снижения стоимости СБИС памяти перспективы весьма обнадежива­ющие (рис.19). В течение достаточно длительного времени стоимость в пере­счете на один бит снижается примерно на 25-40% в год.

    Год

 

Рис.19.Тенденция снижения стоимости СБИС динамической памяти в пересечении на 1 Мбит

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Тенденции развития элементной базы процессорных устройств | Перспективные направления исследований в области архитектуры ВС
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 294; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.