Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Загрузка...

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Организация микросхем памяти

Интегральные микросхемы (ИМС) памяти организованы в виде матрицы ячеек, каждая из которых, в зависимости от разрядности ИМС, состоит из одного или более запоминающих элементов (ЗЭ) и имеет свой адрес. Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. Для ЗЭ любой полупроводниковой памяти харак­терны следующие свойства:

· два стабильных состояния, представляющие двоичные 0 и 1;

· в ЗЭ (хотя бы однажды) может быть произведена запись информации, посред­ством перевода его в одно из двух возможных состояний;

· для определения текущего состояния ЗЭ его содержимое может быть считано.

При матричной организации ИМС памяти (рис. 49) реализуется координат­ный принцип адресации ячеек. Адрес ячейки, поступающий по шине адреса ВМ, пропускается через логику выбора, где он разделяется на две составляющие; адрес строки и адрес столбца. Адреса строки и столбца запоминаются соответственно в регистре адреса строки и регистре адреса столбца микросхемы. Регистры соеди­нены каждый со своим дешифратором. Выходы дешифраторов образуют систему горизонтальных и вертикальных линий, к которым подсоединены запоминающие элементы матрицы, при этом каждый ЗЭ расположен на пересечении одной горизонтальной и одной вертикальной линии.

ЗЭ, объединенные общим «горизонтальным» проводом, принято называть строкой (row). Запоминающие элементы, подключенные к общему «вертикальному» проводу, называют столбцом (column). Фактически «вертикальных» проводов в микросхеме должно быть, по крайней мере, вдвое больше, чем это требуется для адресации, поскольку к каждому ЗЭ необходимо подключить линию, по которой будет передаваться считанная и записываемая информация.

Совокупность запоминающих элементов и логических схем, связанных с выбо­ром строк и столбцов, называют ядром микросхемы памяти. Помимо ядра в ИМС имеется еще интерфейсная логика, обеспечивающая взаимодействие ядра с внешним миром. В ее задачи, в частности, входят коммутация нужного столбца на выход при считывании и на вход — при записи.

На физическую организацию ядра, как матрицы однобитовых ЗЭ, накладывает­ся логическая организация памяти, под которой понимается разрядность микросхе­мы, то есть количество линий ввода/вывода. Разрядность микросхемы определяет количество ЗЭ, имеющих один и тот же адрес (такая совокупность запоминающих элементов называется ячейкой), то есть каждый столбец содержит столько разря­дов, сколько есть линий ввода/вывода данных.

Для уменьшения числа контактов ИМС адреса строки и столбца в большинстве микросхем подаются в микросхему через одни и те же контакты последовательно во времени (мультиплексируются) и запоминаются соответственно в реги­стре адреса строки и регистре адреса столбца микросхемы. Мультиплексирование обычно реализуется внешней по отношению к ИМС схемой.



Рис. 49. Структура микросхемы памяти

 

Для синхронизации процессов фиксации и обработки адресной информации внутри ИМС адрес строки (RA) сопровождается сигналом RAS (Row Address Strobe — строб строки), а адрес столбца (СА) — сигналом CAS (Column Address Strobe — строб столбца). Вторую букву в аббревиатурах RAS и CAS иногда расшифровывают как Access — «доступ», то есть имеется строб доступа к строке и строб доступа к столбцу. Чтобы стробирование было надежным, эти сигналы подаются с задержкой, достаточной для завершения переходных процессов на шине адреса и в адресных цепях микросхемы.

Сигнал выбора микросхемы CS (Crystal Select) разрешает работу ИМС и ис­пользуется для выбора определенной микросхемы в системах, состоящих из не­скольких ИМС. Вход WE (Write Enable — разрешение записи) определяет вид выполняемой операции (считывание или запись).

Записываемая информация, поступающая по шине данных, первоначально за­носится во входной регистр данных, а затем — в выбранную ячейку. При выполне­нии операции чтения информация из ячейки до ее выдачи на шипу данных буферизируется в выходном регистре данных. Обычно роль входного и выходного выполняет один и тот же регистр. Усилители считывания/записи (УСЗ) служат для электрического согласования сигналов на линиях данных и внутренних сиг­налов ИМС. Обычно число УСЗ равно числу запоминающих элементов в строке матрицы, и все они при обращении к памяти подключаются к выбранной горизон­тальной линии. Каждая группа УСЗ, образующая ячейку, подключена к одному из столбцов матрицы, то есть выбор нужной ячейки в строке обеспечивается активи­зацией одной из вертикальных линий. На все время пока ИМС памяти не исполь­зует шину данных, информационные выходы микросхемы переводятся в третье (высокоимпедансное) состояние. Управление переключением в третье состояние обеспечивается сигналом ОЕ (Output Enable — разрешение выдачи выходных сиг­налов). Этот сигнал активизируется при выполнении операции чтения. Для большинства перечисленных выше управляющих сигналов активным обыч­но считается их низкий уровень, что и показано на рис. 49.

Управление операциями с основной памятью осуществляется контроллером памяти. Обычно этот контроллер входит в состав центрального процессора либо реализуется в виде внешнего по отношению к памяти устройства. В последних типах ИМС памяти часть функций контроллера возлагается на микросхему памяти. Хотя работа ИМС памяти может быть организована как по синхронной, так и по асинхронной схеме, контроллер памяти — устройство синхронное, то есть сраба­тывающее исключительно по тактовым импульсам. По этой причине операции с памятью принято описывать с привязкой к тактам. В общем случае на каждую такую операцию требуется как минимум пять тактов, которые используются следу­ющим образом:

1. Указание типа операции (чтение или запись) и установка адреса строки.

2. Формирование сигнала RAS.

3. Установка адреса столбца.

4. Формирование сигнала CAS.

5. Возврат сигналов RAS и CAS в неактивное состоянии

 

Данный перечень учитывает далеко не все необходимые действия, например регенерацию содержимого памяти в динамических ОЗУ.

Типовую процедуру доступа к памяти рассмотрим на примере чтения из ИМС с мультиплексированием адресов строк и столбцов. Сначала на входе WE уста­навливается уровень, соответствующий операции чтения, а на адресные контакты ИМС подается адрес строки, сопровождаемый сигналом RAS. По заднему фронту этого сигнала адрес запоминается в регистре адреса строки микросхемы, после чего дешифрируется. После стабилизации процессов, вызванных сигналом RAS, вы­бранная строка подключается к УСЗ. Далее на вход ИМС подается адрес столбца, который по заднему фронту сигнала CAS заносится в регистр адреса столбца. Од­новременно подготавливается выходной регистр данных, куда после стабилиза­ции сигнала CAS загружается информация с выбранных УСЗ.

Разработчики микросхем памяти тратят значительные усилия на повышение быстродействия ИМС, которое принято характеризовать четырьмя параметрами (численные значения приводятся для типовой микросхемы динамической памяти емкостью 4 Мбит):

· tRASминимальное время от перепада сигнала RAS с высокого уровня к низко­му до момента появления и стабилизации считанных данных на выходе ИМС. Среди приводившихся в начале главы характеристик быстродействия это со­ответствует времени доступа ТД (tRAS = 60 нс);

· tRCминимальное время от начала доступа к одной строке микросхемы памя­ти до начала доступа к следующей строке, Этот параметр также упоминался в начале главы как длительность цикла памяти Гц (tRC = 110 не при tRAS = 60 нс);

· tCAS — минимальное время от перепада сигнала CAS с высокого уровня к низко­му до момента появления и стабилизации считанных данных на выходе ИМС (tCAS = 15 не при tRAS = 60 нс);

· ТРС — минимальное время от начала доступа к одному столбцу микросхемы па­мяти до начала доступа к следующему столбцу (Tрс = 35 нс при tRAS = 60 нc).

Возможности «ускорения» ядра микросхемы ЗУ весьма ограничены и связаны в основном с миниатюризацией запоминающих элементов. Наибольшие успехи достигнуты в интерфейсной части ИМС, касаются они, главным образом, операции чтения, то есть способов доставки содержимого ячейки на шину данных. Наибольшее распространение получили следующие шесть фундаментальных подходов:

· последовательный;

· конвейерный;

· регистровый;

· страничный;

· пакетный;

· удвоенной скорости.

 

Последовательный режим (Flow through Mode) характеризуется тем, что адрес и управляющие сигналы подаются на микросхему до поступления синхроимпульса.

В момент прихода синхроимпульса вся входная информация запоминается во внут­ренних регистрах — по его переднему фронту, и начинается цикл чтения. Через некоторое время, но в пределах того же цикла данные появляются на внешней шине, Причем момент этот определяется только моментом прихода синхронизирующего импульса и скоростью внутренних цепей микросхемы.

Конвейерный режим (pipelined mode) — это такой метод доступа к данным, при котором можно продолжать операцию чтения по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.

При чтении из памяти время, требуемое для извлечения данных из ячейки, можно условно разбить на два интервала. Первый из них — непосредственно доступ к массиву запоминающих элементов и извлечение данных из ячейки. Второй — передача данных на выход (при этом происходит детектирование состояния ячейки, усиление сигнала и другие операции, необходимые для считывания информации). В отличие от последовательного режима, где следующий цикл чтения начинается только по окончании предыдущего, в конвейерном режиме процесс разбивается на два этапа. Пока данные из предыдущего цикла чтения передаются на внешнюю шину, происходит запрос на следующую операцию чтения. Таким образом, два цикла чтения перекрываются во времени. Из-за усложнения схемы передачи дан­ных на внешнюю шину время считывания увеличивается на один такт, и данные поступают на выход только в следующем такте, но такое запаздывание наблюдается лишь при первом чтении в последовательности операций считывания из памяти. Все последующие данные поступают на выход друг за другом, хотя и с запаздыва­нием на один такт относительно запроса на чтение. Так как циклы чтения пе­рекрываются, микросхемы с конвейерным режимом могут использоваться при ча­стотах шины, вдвое превышающих допустимую для ИМС с последовательным режимом чтения.

Регистровый режим (Register to Latch) используется относительно редко и отли­чается наличием регистра па выходе микросхемы. Адрес и управляющие сигналы выдаются на шину до поступления синхронизирующего импульса. С приходом положительного фронта синхроимпульса адрес записывается во внутренний ре­гистр микросхемы, и начинается цикл чтения. Считанные данные заносятся в про­межуточный выходной регистр и хранятся там до появления отрицательного фрон­та (спада) синхроимпульса, а с его поступлением передаются на шину. Метод однозначно определяет момент появления данных на выходе ИМС, причем изме­няя ширину импульса синхронизации можно менять время появления данных на Шине. Данное свойство часто оказывается весьма полезным при проектировании специализированных ВМ. По быстродействию микросхемы с регистровым режи­мом идентичны ИМС с последовательным режимом.

Страничный режимотличается тем, что в основе идеи лежит тот факт, что при доступе к ячейкам со смежными адресами (согласно принципу локальности такая ситуация наиболее вероятна), причем к таким, где все ЗЭ расположены в одной строке матрицы, доступ ко второй и последующим ячейкам можно производить существенно быстрее. Действительно если адрес строки при очередном обращении остался прежним, то все временные затраты, связанные с повторным занесением адреса строки в регистр ИМС, дешифровкой, зарядом паразитной емкости горизонтальной линии и т. п., можно ис­ключить. Для доступа к очередной ячейке достаточно подавать на ИМС лишь ад­рес нового столбца, сопровождая его сигналом CAS. Отметим, что обращение к первой ячейке в последовательности производится стандартным образом — по­очередным заданием адреса строки и адреса столбца, то есть здесь время доступа уменьшить практически невозможно. Рассмотренный режим называется режимом страничного доступа или просто страничным режимом (Page Mode). Под страни­цей понимается строка матрицы ЗЭ. Микросхемы, где реализуется страничный режим и его модификации, принято характеризовать формулой х-у-у-у. Первое число х представляет количество тактов системной шины, необходимое для доступа к первой ячейке последовательности, а у — к каждой из последующих ячеек. Так, выражение 7-3-3-3 означает, что для обработки первого слова необходимо 7 тактовых периодов системной шины (в течение шести из которых шина простаивает в ожидании), а для обработки последующих слов — по три периода, из кото­рых два системная шина также простаивает.

Режим быстрого страничного доступа (FPM — Fast Page Mode) представляет собой модификацию стандартного страничного режима. Основное отличие заклю­чается в способе занесения новой информации в регистр адреса столбца. Полный адрес (строки и столбца) передается только при первом обращении к строке. Ак­тивизация буферного регистра адреса столбца производится не по сигналу CAS, а по заднему фронту сигнала RAS. Сигнал RAS остается активным на протяжении всего страничного цикла и позволяет заносить в регистр адреса столбца новую информацию не по спадающему фронту CAS, а как только адрес на входе ИМС стабилизируется, то есть практически по переднему фронту сигнала CAS. В целом же потери времени сокращаются на два такта, которые ранее требовались для пе­редачи адреса каждой строки и сигнала RAS. Реальный выигрыш, однако, наблю­дается лишь при передаче блоков данных, хранящихся в одной и той же строке микросхемы. Если же программа часто обращается к разным областям памя­ти, переходя с одной строки ИМС на другую, преимущества метода теряются. Режим нашел широкое применение в микросхемах ОЗУ, особенно динамического типа.

Пакетный режим (Burst Mode) — режим, при котором на запрос по конкретному адресу память возвращает пакет данных, хранящихся не только по этому адресу но и по нескольким последующим адресам.

Разрядность ячейки памяти современных ВМ обычно равна одному байту, в то время как ширина шины данных, как правило, составляет четыре байта. Следовательно ячейкам — пакету. С учетом этого обстоятельства в ИМС памяти часто использу­ется модификация страничного режима, носящая название группового или пакетного режима. При его реализации адрес столбца заносится в ИМС только для первой ячей­ки пакета, а переход к очередному столбцу производится уже внутри микросхемы. Это позволяет для каждого пакета исключить три из четырех операций занесения в 0MC адреса столбца и тем самым еще более сократить среднее время доступа.

Режим удвоенной скоростиявляется важным этапом в дальнейшем развитии технологии микросхем памяти. Он обозначается как ре­жим DDR (Double Data Rate) — удвоенная скорость передачи данных. Сущность метода заключается в передаче данных по обоим фронтам импульса синхрониза­ции, то есть дважды за период. Таким образом, пропускная способность увеличи­вается в те же два раза.

Помимо упомянутых используются и другие приемы повышения быстродей­ствия ИМС памяти, такие как включение в состав микросхемы вспомогательной кэш-памяти и независимые тракты данных, позволяющие одновременно произво­дить обмен с шиной данных и обращение к матрице ЗЭ и т. д.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
| Организация микросхем памяти

Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 236; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2017) год. Не является автором материалов, а предоставляет студентам возможность бесплатного обучения и использования! Последнее добавление ip: 54.81.82.181
Генерация страницы за: 0.128 сек.