КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Фотодиод. - вентильный (фотодинамический, фотогенераторный);
|
|
|
|
 |
Режимы:
- вентильный (фотодинамический, фотогенераторный);
- фотодиодный.
Ф
- +
+ -
Iф
Rн
Толщина слоя р<= длины свободного пробега электрона
В пограничном слое возникает фотоЭДС
Еф<=j0» 0,5 В
I
Для фотодиодного режима
p n Ф=0
 |
U
Rн E Eф
Фф<Ф2<Ф3
Световая характеристика:
I
U3 U3>U2>U1
U2
U1
Ф
Интегральная чувствительность:
K=Iф/Ф
Спектральная характеристика:
S=f(l)
|
|
|
|
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 251; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!