КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Составные транзисторы
С
Коэффициент усиления по напряжению здесь, как и в схеме ЭП, равен единице.
Входное сопротивление в схеме ОМ и ОС бесконечность (диэлектрик).
Схема Дарлингтона. Быстродействие хуже из-за диффузионной емкости Т2, лучше вариант с резистором: IR<IБ2, UR<UБЭ2 на токах утечки. R = n*100 Ом в мощных транзисторах, R = n*1000 Ом в малосигнальных схемах.
Б К
 |  | ||||
 | |||||
= Þ bNS =b1×b2 UБЭS = 2UБЭ, UКЭ » UБЭ
 |
Э
 | |||
 | |||
= bS=bNnpn, Uпроб как в p-n-р.
 |
Схема Шиклаи (Sziklai), p-n-p
 | |||
 | |||
= bS=bpbn частотные хар-ки хуже,
по pnp-типу.
Cхема Шиклаи n-p-n (комплементарный транзистор)
К bS=bn×bр, UБЭ = UБЭ, UКЭ = UБЭн
Б
 |
Э
|
|
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 279; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!