По конструктивному исполнению

По рабочей частоте

Различают низкочастотные транзисторы (в основном для работы в звуковом и ультразвуковом диапазонах частот), высокочастотны е (до 300 Мгц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 Мгц).

Транзисторы применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от единиц Гц до нескольких десятков Ггц.

По конструктивному исполнению транзисторы подразделяются на транзисторы в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах и бескорпусные (рис. 8.12).

В лаборатории Bell Labs в 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн создали действующий первый биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря.

23 декабря состоялось официальное представление изобретения, эта дата считается днём изобретения транзистора.

По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов.

В 1956 году авторы были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта»

Рис. 8.10 Так выглядел первый транзистор, созданный специалистами Bell Labs, 1947 г.

Рис. 8.11 Первые отечественные транзисторы П1А и П3А (с радиатором), 1957 г.

Рис. 8.12 Дискретные транзисторы (масштаб не выдержан), для объемного монтажа

Дата добавления: 2014-01-06