Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Дайджест структур транзисторов




Эпитаксиально - планарный транзистор

Рис.8.15 Эпитаксиально - планарный транзистор n-p-n изготовленный методом двойной локальной диффузии.

 

На подложке n+ выращен эпитаксиальный слой n и затем последовательно произведена двойная локальная диффузия (через маску SiO2).

Рис.8.16 Структуры транзисторов

02.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ” Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Классификация транзисторов и их параметры

Наиболее часто в технической литературе и справочниках транзисторы классифицируют по допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоте.

Допустимая рассеиваемая мощность

маломощные, Pрасс < 0,3Вт

средней мощности, 0,3вт < Pрасс < 1,5Вт

мощные, Pрасс > 1,5 Вт

 

Граничная частота

 

низкочастотные, Fгр< 30 МГц

высокочастотные, 30 МГц < Fгр< 300 МГц

свехвысокочастотные, Fгр> 300 МГц

 

По конструктивному оформлению транзисторы бывают корпусные и бескорпусные. Бескорпусные транзисторы применяются в ИМС и могут иметь гибкие или жесткие выводы.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 354; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.