МДП-структуры транзисторов для СБИС

МДП-структуры транзисторов с двойным затвором

Другие МДП-структуры транзисторов

HEMFET транзистор

HEMFET, HEMT ( High Electron Mobility Transistor), транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) - полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП-транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход).

Другие названия этих транзисторов: полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и гетеропереходом, ГМеП транзисторы, полевые транзисторы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ).

В зарубежной литературе помимо их обозначения HEMT в зависимости от структуры также используются аналогичные названия: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT.

Область применения ТВПЭ, - связь в микроволновом и миллиметровом диапазоне длин волн, радары и радиоастрономия, там где требуется высокая степень усиления сигнала и низкий шум на больших частотах.

ТВПЭ способны производить усиление по току при частотах выше 600 ГГц и по мощности при частотах более чем 1 ТГц.

В январе 2010 г. группа ученых из Японии и Европы представила террагерцовый ТВПЭ с рабочей частотой 2,5 ТГЦ.

ТВПЭ могут быть выполнены как отдельные транзисторы, но чаще приборы выпускаются в форме монолитной микроволновой интегральной схемы (MMIC - Monolithic Microwave Integrated Circuit).

ТВПЭ нашли свое применение во многих видах оборудования от мобильных телефонов и широкополосных спутниковых ресиверов до систем электронного обнаружения, таких как радары и радиотелескопы.

В последние годы были разработаны структуры запоминающих полевых транзисторов с двойным затвором.

Встроенный в диэлектрик затвор используется для хранения заряда, определяющего состояние прибора, а внешний (обычный) затвор, управляемый разнополярными импульсами для ввода или удаления заряда на встроенном (внутреннем) затворе.

Это ячейки микросхем флэш-памяти.

Для реализации сверхбольших интегральных схем (СБИС) были созданы сверхминиатюрные полевые микротранзисторы.

Они делаются с применением нанотехнологий с геометрическим разрешением менее 100 нм. У таких приборов толщина подзатворного диэлектрика доходит до нескольких атомных слоев.

Используются различные, в том числе трехзатворные структуры. Приборы работают в микромощном режиме.

В современных микропроцессорах корпорации Intel число приборов составляет от десятков миллионов до единиц миллиардов.

Новейшие полевые микротранзисторы выполняются на напряженном кремнии, имеют металлический затвор и используют новый запатентованный материал для подзатворного диэлектрика на основе соединений гафния.

" напряженный кремний " (strained silicon) - специалисты корпорации Intel предложили способ растянуть кристаллическую решетку транзистора, тем самым увеличить расстояние между атомами, а значит, и облегчить прохождение носителей заряда (технология дает 20-30%-ный выигрыш)

Дата добавления: 2014-01-06