МОП транзисторы

Полевые транзисторы с р-п переходом

1) c п -каналом

2) с каналом типа р

1) В карманах р -типа созданы области п⁺ -типа, обогащенные п примесями стока и истока; и область р -типа для затвора. Структура аналогична структуре транзистора п-р-р типа.

У них высокое входное сопротивление и они просты в использовании. Особенно просто изготавливаются транзисторы с индуцированным каналом. Для них в кармане р -типа нужно создать методом диффузии области п⁺ стока и истока. На переходах между этими областями и подложкой поддерживается обратное напряжение и т.о. осуществляется изоляция транзистора от кристалла и друг от друга. Аналогична изоляция канала от кристалла.

Несколько сложное изготовление транзистора на подложке р- типа с каналом р -типа, так как сначала нужно сделать карман п -типа.

В некоторых схемах находят применение пары МОП транзисторов с каналами п- и р -типа. Такие пары называются компленитарными транзисторами (КМОП и КНДП)

Они применяются в ключевых (цифровых) схемах и отличаются малым потреблением тока и высоким быстродействием. Пример, схема инвертора:

Инвертор образован транзисторами с индуцированными каналами п - и р -типа. Их затвор соединяется параллельно и является входом, стоки тоже соединяются параллельно и являются выходом. Для источника питания транзисторы соединяются последовательно.

При подаче на вход напряжения индукционный канал возникает в том или другом транзисторе, то есть один транзистор отпирается, другой запирается. Если первый транзистор заперт, а второй открыт, то на выходе бедут напряжение, близкое к источнику питания.

При запертом втором транзисторе, а при открытом первом выходном к нулю, так как один транзистор всегда заперт, то вся схема потребляет малый ток.

Дата добавления: 2014-01-06