КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Полевые транзисторы с изолированным управляющим электродом (затвором)
У таких транзисторов полупроводниковый канал отделён от металлического затвора тонким (≈0,1мкм) слоем диэлектрика. Они имеют структуру металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). В большинстве случаев в качестве диэлектрика используется диоксид кремния (SiO2). В таком случае транзистор называется МОП-типа (металл-окисел-полупроводник).
Принцип работы этих приборов основан на эффекте поля.
МОП-транзисторы могут быть двух типов:
- со встроенным каналом (канал создается при изготовлении);
- с индуцированным каналом (инверсионным) – канал возникает под действием напряжения, приложенного к затвору.
МОП-транзисторы со встроенным каналом:
Структура МОП-транзистора со встроенным каналом n-типа.
Основа прибора – подложка из монокристаллического кремния p-типа.
Области истока и стока – сильнолегированные полупроводники n-типа (n+). Расстояние между И и С около 1 мкм. На этом участке расположена узкая слаболегированная полоска кремния n-типа (канал).
В зависимости от полярности напряжения на затворе (относительно истока), канал может обедняться или обогащаться носителями заряда (электронами).
Отрицательное напряжение на затворе выталкивает электроны из области n-канала в подложку. Канал обедняется носителями заряда и ток в канале уменьшается.
Положительное напряжение на затворе способствует втягиванию электронов проводимости из подложки и из областей n+ в n-канал. Канал обогащается носителями заряда, ток в канале возрастает.
Таким образом, этот транзистор может работать с нулевым, отрицательным или положительным напряжением на затворе.
Стокозатворная характеристика Выходные ВАХ транзистора
транзистора со встроенным со встроенным каналом
каналом IC=f(UЗИ) IC=f(UCИ) при UЗИ=const
УГО МОП-транзисторов со встроенным каналом:
Разновидностью МОП-транзиторов являются транзисторы с двумя изолированными затворами (тетродные МОП-транзисторы).
Тетродный МОП-транзистор
с каналом n-типа.
Схемы включения МОП-транзисторов со встроенным каналом n-типа:
|
|
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 379; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!