Магнито–резисторные датчики

Магнито-резисторные элементы действую согласно закону электродинамики, в соответствии с которым на подвижные носители зарядов в магнитном поле действует сила Лоренса. Заставляющая электроны двигаться по искривленным траекториям таким образом удлиняя путь тока и увеличивая сопротивление материалов.

Степень отклонения электронов зависит от их подвижности и возможности выбора искривленной траектории. Это величина максимально в полупроводнике. По сравнению с металлом от 50 до 200 см². Магнито–резистор, чувствителен к общему магнитному полю, а не к способности его изменения. Это важно для переносных датчиков, которые могут двигаться с неопределенной скоростью. Магнито-резистивный эффект возникает с уменьшением длины к ширине прибора.

R_m – сопротивление в магнитном поле;

R – сопротивление без приложения магнитного поля;

Для получения высокого внутреннего сопротивления при отсутствии магнитного поля и большого изменения сопротивления с ростом магнитного поля. Несколько приборов с неудачным соотношением l/W могут соединяться последовательно. Это может быть сделано нанесением магнитной пленки на длинный кусок полупроводника и последующим травлением части ее поверхности до образования растра с коротко замыкающими перемычками.

	1)		2)

1. Линии тока в растровом магнитном элементе без магнитного поля;

2. Линии тока в растровом магнитном элементе с магнитным полем;

Когда прикладывается магнитное поле токовые линии поворачиваются на угол Холла, так как, поверхность металлического проводника лучше проводить электрический ток, чем сам полупроводник, то ток возвращается по ним к противоположной стороне кристалла, а в каждой следующей полупроводниковой секции течет под углом θ. Внутреннее сопротивление устройства можно менять в самых широких приделах, выбор длины к ширине. Вместо применения внешних металлических коротко замыкающих линий, поперек полупроводника может быть использован для датчика. Полупроводниковый материал с введенными в него параллельно ориентированными кристаллами металлического материала. Эти кристаллы действуют, как внутренние коротко замыкающие линии без магнитного поля. Линии тока располагаются под прямой и эквипотенциональны поверхностям металлических кристаллов, но под действием приложенного поля линии тока поворачиваются на угол Холла. И образуют зигзагообразную траекторию в материале.

	1)		2)

Магнито-резисторы полученные нанесением пленки около 30 мкм на подложку толщиной до 0,1 мкм. Пленка изолируется от подложки, которая может изготавливаться из магнито восприимчивого материала. Подложка имеет покрытие из керамики или пластмассы. Магнито-резисторы имеют очень низкие шумы, если только в материале не возникает трещин из-за ошибочного монтажа. Так какустройство обладает объемным сопротивлением оно не подвержено воздействию внешних воздействий и обладает очень малым старением. Старение же происходит из-за порчи эпоксидных смол применяемых при изготовлении и монтаже.

Дата добавления: 2014-01-07