Материалы и технологии

На основе соединения можно создать соединения с тем же числом валентных электронов на один атом, что и в Si,Ge. Такое же свойство и структура соеднинений GaAs, InP, InAs, InSb, AlAs, во много аналогичны элементарным п/п.

В то же время это материалы с различной шириной запрещенной зоны, с различными постоянными кристаллической решетки и другое. Некоторые из этих соединений можно комбинировать, создавая твердые растворы.

Постоянные решетки GaAs (0.5653 нм) и AlAs (0.5661 нм) очень близки и граница раздела между ними имеет малую плотность поверхностных состояний.

Технологии типа молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений (ГФОМС) позволяют выращивать материалы с очень резкой и бездефектной границей, меняя состав и легирование в пределах буквально одного атомного слоя – зонная инженерия.

Преимуществом соединений GaAs, InP является возможность создания полуизолирующих подложек. Это уменьшает паразитные емкости и позволяет создавать МПЛинии с малыми потерями.

Дата добавления: 2014-01-07