Частотні властивості діодів з р-п переходом

Найчастіше діоди з р-п переходом використовують для випрямляння, детектування, модуляції напруги синусоїдальної або майже синусоїдальної форми.

Розглянемо поведінку р-п переходу при дії на нього синусоїдального струму або напруги різної частоти, період коливань. Перехідні процеси в р-п переході протікають протягом часу порядку часу життя дірок - в і-базі діода. На низькій частоті, для кожного моменту часу зміна синусоїдальної напруги перехідні процеси, пов'язані з рекомбінацією, встигають встановитися. Такий режим називається квазістаціонарним. Форма струму є несинусоїдальної форми, струм діода протікає практично тільки в першій підлозі періоду.

При розгляді перехідних процесів в р-п переході було показано, що процеси накопичення неосновних носіїв заряду -дирок -в і-базі + п переходе - носять характер місткості. На малій змінному анклаві цю інерційність можна описати кількісно шляхом введення дифузійної місткості р-п переходу, рівної відношенню зміни дірок, накопичених в квазінейтральній n-базе, до зміни напруги, прикладеної до ОПЗ р-п переходу:

Істотною особливістю дифузійної місткості є те, що заряди дірок і електронів, накопичувані в я-база в умовах квазіелектронейтральності, просторово не розділені, а присутні спільно протягом часу життя дірок.

На рис.2.5. наведені умовні позначення напівпровідникових приладів.

Рис. 2.5. Умовні графічні позначення напівпровідникових приладів:

а) — випрямний і імпульсний діод; б) - стабілітрон і стабистор;

в) — симетричний стабілітрон; г) — діод Шоттки; д) — випромінюючий діод; е) — фото діод; ж) – тріодний тиристор; з) – симетричний тиристор; и) —биполярний транзистор р-n-р - типу; к) — біполярний транзистор n-р-n - типу; л) - польовий транзистор з р-n-переходом, що управляє, і n - каналом; м) — польовий транзистор з р-n – переходом, що управляє і р - каналом; н) — МДП - транзистор з вбудованим n - каналом; о) — польовий транзистор з вбудованим р - каналом; п) - МДП транзистор з індукованим п - каналом; р) -МДП-транзистор з індукованим р-каналом.

Дата добавления: 2014-01-07