Класифікація ПП пристроїв

Принцип класифікації ПП діодів

ПП діоди широко застосовуються в пристроях радіоелектроніки, автоматики і обчислювальної техніки, силової (теоретичної) перетворювальній техніки. Не дивлячись на велику різноманітність і широку номенклатуру діодів, що випускаються в даний час, їх можна класифікувати по ряду ознак, найважливішими і яких є фізичні ефекти і явища, що визначають механізм роботи приладів, конструктивно-технологічні особливості, сукупність параметрів і області вживання. Класифікація сучасних ПП діодів по їх призначенню, фізичним властивостям, основним електричним параметрам, конструктивно-технологічним ознакам, початковому ПП-му матеріалу знаходить віддзеркалення в системі умовних позначень діодів. У основу системи умовних позначень і маркіровки діодів встановлений буквено-цифровий код, що відображає інформацію про початковий ПП-м матеріалі, підкласі (або групі) приладів, призначенні (параметр або принцип дії), порядковому номері розробки. Умовне позначення включає ще ряд буквено-цифрових елементів.

По типу початкового напівпровідникового матеріалу діода діляться на кремнієві, германієві і діоди з арсеніду галію. Рідше застосовуються інші напівпровідникові матеріали: селен, карбід кремнію. Більшість сучасних напівпровідникових діодів виготовляється на основі кремнію.

Залежно від конструктивно-технологічних особливостей розрізняють площинні, точкові і мікро сплавні діоди. Точкові і мікро сплавні діоди призначені для роботи на СВЧ і мають обмежений випуск. Діоди виготовляють з дифузійної і сплавної технології із застосуванням операцій епітаксії і імплантації домішок. Сплавна технологія в даний час має обмежене використування.

Клас діодів містить наступні підкласи: випрямні діоди, імпульсні діоди, надвисокочастотні діоди, стабілітрони, стабістори, варикапи і параметричні діоди, діоди Шоттки, тунельні і обернені діоди, діоди Ганна, лавинно-пролітні діоди, светлопроменеві діоди і напівпровідникові лазерні, фото діоди, магніто діоди, тензодіоди і ін.

Особливе місце в силовій (енергетичної) напівпровідниковій електроніці займають силові діоди (з граничним середнім або граничним діючим струмом 10А і більш), або, по іншій вітчизняній класифікації, могутні діоди (з розсіюванню потужністю 1 Вт і більш). Силові напівпровідникові діоди мають дещо відмінну систему класифікації і систему

позначень. По здатності навантаження у області пробою силові діоди підрозділяються на випрямні, лавинні випрямні, лавинні випрямні з контрольованим пробоєм.

Випрямні діоди призначені для випрямляння змінного струму. Для цих діодів робота у області пробою недопустима. Відповідно до діючих стандартів (технічними умовами) до цих діодів навіть короткочасно не дозволяється прикладати зворотні напруги, що приводять до лавинного пробою р- п переходів. Лавинні випрямні діоди можуть протягом обмеженого інтервалу часу розсіювати імпульс прикладеної енергії у області пробою при роботі на зворотній ВАХ, тобто, працювати як обмежувач напруги.

Лавинні випрямні діоди з контрольованим пробоєм призначені для роботи в сталому режимі у області пробою, тобто можуть працювати як стабілізатори, а в окремих випадках — як обмежувачі напруги.

Система параметрів діодів включає велике число параметрів. Параметри діодів підрозділяються на граничні параметри, що визначають гранично допустимі значення - максимально і (або) мінімально допустимі значення - і характеризуючи (робочі) параметри.

Допустиме значення параметра - це значення, при якому очікується задовільна робота приладу, а граничне допустиме значення параметра - це значення, за межами якого прилад може бути пошкоджений або виведений з ладу.

Дата добавления: 2014-01-07