Циліндричні магнітні домени

Загальна характеристика

Магнітоелектроніка

Розділ 4. Сучасні напрями розвитку електроніки

Галузі функціональної електроніки - це галузі електроніки, які дозволяють реалізувати певну функцію апаратури без застосування стандартних базових елементів на основі фізичних явищ у твердих тілах. У цьому випадку локальному об’єму твердого тіла надаються такі властивості, які потрібні для виконання певної функції. Функціональні мікросхеми можуть виконуватися на основі не тільки напівпровідників, а й таких матеріалів, як надпровідники, сегнетоелектрики, фотоматеріали та ін. Для перетворення інформації можна використовувати явища, які не пов’язані з електропровідністю (наприклад, оптичні та магнітні явища в діелектриках, поширення ультразвуку та ін.).

Магнітоелектроніка - галузь електроніки, яка присвячена теорії і практиці створення пристроїв, що грунтуються на явищах електромагнетизму та магнітної індукції, таких, як намагнічування, перемагнічування, розмагнічування осердь імпульсним або безперервним струмом, виникнення ЕРС в провіднику, який рухається, під дією магнітного поля. Магнітоелекроніка пов‘язана з появою нових магнітних матеріалів, які мають малу намагніченість насичення, та з розробленням технологічних методів одержання тонких магнітних плівок. На перемагнічування тонкоплівкового елемента, товщина якого не перевищує товщини одного домену, потрібна енергія, яка в 10-20 разів менша, та час, в 10-30 разів менший, ніж на перемагнічування феритового осердя. Найбільш цікавими є тонкоплівкові металеві магнітні матеріали в мікроелектронних запам’ятовувальних пристроях (ЗП), де як елементи пам’яті застосовують магнітні плівки. На тонких плівках можуть бути виконані не тільки елементи пам’яті ЕОМ, а й логічні мікросхеми та магнітні підсилювачі.

Досить широкі перспективи побудови функціональних приладів відкривають нові матеріали - магнітні напівпровідники. До них відносять магнетики, які не мають металевої природи електропровідності та являють собою з’єднання магнітних та немагнітних елементів (халькогеніди європія, халькогенідні шпінелі хрому, сильнолеговані ферити).

Розрізнять декілька груп сучасних магнітних елементів:

- циліндричні магнітні домени;

- перетворювачі Холла;

- магніторезистори; магнітодіоди; магнітотранзистори та магнітотиристори.

Для створення магнітних елементів у мікроелектроніці застосовують магнітні плівки товщиною від 0,1 мкм до 10 мкм, які наносяться на підкладку. Важлива властивість магнітних елементів полягає в тому, що в них процеси намагнічування, перемагнічування та розмагнічування проходять набагато швидше, ніж в елементах із звичайними осердями.

Магнітні плівки мають доменну структуру, тобто складаються із окремих мікроскопічних областей - доменів із спонтанним намагнічуванням. У межах окремого домену атоми намагнічені в одному напрямку, тому кожен домен можна розглядати як окремий елементарний невеликий магніт. По товщині магнітної плівки розміщений один шар доменів. Тому зміна доменної структури може відбуватися лише повздовж поверхні плівки. Вектор поля доменів перпендикулярний до цієї поверхні. Домени мають різні розміри, різну форму та різний напрямок вектора магнітної індукції. Якщо на магнітну плівку діє зовнішнє магнітне поле, вектор якого спрямований перпендикулярно до поверхні плівки, то домени з вектором поля того самого напрямку збільшуються у розмірах, а домени з протилежним напрямком вектора поля зменшуються і при деякому значенні напруженості зовнішнього поля перетворюються в циліндричні магнітні домени (ЦМД). Діаметр ЦМД складає 1 - 5 мкм. При більш сильному магнітному полі домени зникають. Циліндричні магнітні домени можна створювати за допомогою генератора доменів у вигляді дротової петлі із струмом (рис.1.38). Така петля з тонкої металевої плівки наноситься на поверхню основної магнітної плівки. Якщо основна плівка пронизана зовнішнім магнітним полем, а через петлю генератора доменів пропускається імпульс струму, який створює магнітне поле з протилежно направленим вектором індукції, то в магнітній плівці створюється ЦМД.

У запам’ятовувальних пристроях наявність ЦМД відповідає цифрі 1, а відсутність - цифрі 0. Домени - це стійкі утворення, і для запису двійкової інформації їх можна переміщувати в будь-якому напрямку, віддаляючи від генератора доменів, щоб останній при появі на ньому нових імпульсів струму, які відповідають цифрі 1, міг створювати нові домени. Таким чином, на відміну від системи запису інформації на магнітній плівці, яка рухається в даній системі, ЦМД, які несуть інформацію, самі рухаються по нерухомій плівці.

Зчитування інформації проводиться різними методами. Наприклад, на основну плівку наноситься петля з напівпровідника, який має магніторезистивний ефект (ефект Гаусса) - зміну магнітного опору під дією

Рисунок 1.36 - Схема утворення ЦМД: а - домени за

відсутності магнітного поля, б - ЦМД, які утворилися під дією зовнішнього магнітного поля

Рисунок 1.37 - Генератор доменів	Рисунок 1.38 – Магніто-резистивна петля для зчитування інформації

змінного магнітного поля (рис. 1.38). Через петлю пропускають постійний струм. Якщо під петлею проходить ЦМД, то магнітне поле в петлі змінюється. Тоді змінюється опір петлі і струм в ній, що відповідає цифрі 1. Постійний струм в петлі струму в петлі означає цифру 0. Циліндричні магнітні домени можуть успішно застосовуватися не тільки в запам'ятовувальних пристроях, але також у різних логічних і інших елементах ЕОМ.

4.1.3 Магніторезистори

Магніторезистори - це електронні компоненти, дія яких заснована на зміні електричного опору напівпровідника (або металу) при впливі на нього магнітного поля.
Механізм зміни опору досить складний, тому що є результа ¬ том одночасної дії великої кількості різноманітних факторів. До того ж він неоднаковий для різних типів приладів, технологій і матеріалів. це напівпровідникові резистори, в яких електричний опір залежить від діючого на резистор магнітного поля. Зміна електричного опору під дією поперечного магнітного поля називають магніторезистивним ефектом (рис.1.39).

Магнетоо́пір — властивість матеріалу змінювати свій електричний опір у магнітному полі.

Якщо позначити опір матеріалу без магнітного поля ρ, а його опір у магнітному полі з магнітною індукцією B позначити ρ _H, то магнетоопір зручно характеризувати величиною

.

Ця відносна зміна опору не залежить від напрямку прикладеного магнітного поля, а, отже, є парною функцією магнітної індукціі B. При малому магнітному полі відносна зміна опору залежить від магнітної індукції квадратично, в сильних полях зазвичай виходить на насичення.

Величина магнетоопору для кожного конкретного матеріалу залежить від типу розсіювання носіїв заряду. Вона різна в залежності від того, чи розсіювання відбувається в основному на нейтральних чи на заряджених домішках чи на фононах.

Основними параметрами магніторезисторів є: номі-нальний опір за відсутності магнітного поля, темпе-ратурний коефіцієнт опору, максимально припустима потужність розсіювання.

Виділяються дві великі групи магніторезисторів:

- монолітні;

- плівкові.

Магніторезістори – це підкладка з розміщеним на ній магніточутливих елементом (МЧЕ). Підкладка забезпечує механічну міцність приладу. Елемент приклеєний до підкладки і захищений зовні шаром лаку. МЧЕ може розміщуватися в оригінальному або стандартному корпусі і забезпечуватися феритовим концентратором магнітного поля або «зміщується» постійним мікромагнітом.
«Монолітні» МЧЕ виготовляються з напівпровідникових матеріалів з високою рухливістю носіїв заряду. До таких матеріалів відносяться антимонид індію (InSb) і арсенід індію (InAs).

Начало формы

Рис. 11.20. Типова залежність МЧЕ, з ¬ виготовленням з різних модифікацій сплаву InSb-NiSb, від величини індукції керуючого магнітного поля

Застосування магниторезисторов.

Магниторезистори застосовуються як чутливі елементи магнітних датчиків: швидкості і напряму обертання, кута повороту і положення, лінійного переміщення, витрати рідини і газу, електричного струму та напруги. Їх використовують в безконтактної клавіатурі ПЕОМ, безконтактних змінних резисторах, вентильних електродвигунах, електронних модуляторах і перетворювачах, вимірниках магнітного поля, металошукачі, електронних навігаторах, в побутовій електронній апаратурі, системах автоматичного управління, пристроях зчитування інформації ЕОМ, визначниках справжності банкнот, електронних та електрифіковані іграшках.

Плівкові магніторезистори можуть формуватися як в лінійні, так і в матричні магніточутливі структури з різним способом їх організації.
Основне призначення таких приладів - це використання їх у системах візуалізації магнітного поля і пристроях зчитування інформації з магнітних носіїв (стрічок, карт і т.п.).

Переваги і недоліки:

Монолітні - доцільно використовувати для реєстрації «сильних» магнітних полів (100-1000 мТл). При використанні магніторезисторів необхідно враховувати його навантажувальну здатність.
Цей параметр визначається граничним допустимим значенням температури перегріву приладу, при якому він не виходить з ладу (Тмакс= 150° С).

Дата добавления: 2014-01-06