МДП - транзистор со встроенным каналом

Полевые транзисторы с изолированным затвором

В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника (канала) слоем диэлектрика.
Если используется двуокись кремния SiO₂, то такие транзисторы обозначаются аббревиатурой

МОП-транзисторы.

МДП - транзисторы делятся на два типа:
- со встроенным каналом (обедненного типа),
- с индуцированным каналом (обогащенного типа).

Канал может быть n-типа или р-типа.

У транзисторов данного типа канал формируется технологическим путем во время производства.

Транзистор может работать в двух режимах:
- обеднения,

- обогащения.

Встроенный канал

Режим обеднения.

На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку.

Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области, канал обедняется носителями и ток стока уменьшается.

Режим обогащения.

На затвор подается положительное напряжение по отношению к истоку.

Под действием электрического поля электроны втягиваются в подзатворную область, канал обогащается носителями и ток стока увеличивается.

В схемотехнике транзистор используется в качестве

- усилителя гармонических сигналов,

- управляемого напряжением сопротивления,

- источника тока.

В основном транзистор работает в режиме обеднения.

Транзистор может работать только в режиме обогащения.

Канал формируется во время работы транзистора. До некоторого порогового напряжения U_ПОР канал отсутствует и транзистор закрыт.

Режим обогащения. На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку.

Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области, канал обогащается носителями р-типа и образуется канал, начинает протекать ток стока.

Дата добавления: 2014-01-07