КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Поверхностная рекомбинация
Среди быстрых поверхностных состояний можно выделить центры прилипания, размещающиеся вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, и центры рекомбинации, располагающиеся вблизи середины запрещенной зоны. Наличие поверхностных центров рекомбинации делает возможным протекание рекомбинации через эти центры. Такую рекомбинацию называют поверхностной. В чистых кристаллах, в которых концентрация объемных центров рекомбинации мала, поверхностная рекомбинация может приобрести важную роль, особенно в образцах малой толщины. Скорость поверхностной рекомбинации весьма чувствительна к состоянию поверхности. Адсорбция на этой поверхности посторонних молекул может резко изменить потенциал поверхности Фн и тем самым скорость поверхностной рекомбинации. Механическая обработка поверхности (шлифование, полировка и т. д.), нарушая кристаллическую структуру поверхностного слоя, приводит к возникновению большого числа поверхностных рекомбинационных центров, способных резко увеличить скорость поверхностной рекомбинации. При больших отрицательных поверхностных потенциалах поверхностные уровни заполняются лишь частично и в зоне проводимости приповерхностного слоя практически отсутствуют электроны (рис. б). Поэтому скорость поверхностной рекомбинации низкая. При высоких положительных поверхностных потенциалах (см. рис. и) рекомбинационные центры заполнены электронами целиком, но отсутствие в валентной зоне приповерхностного слоя дырок делает скорость поверхностной рекомбинации также низкой. Наиболее благоприятные условия для рекомбинации создаются при небольших значениях Фs Поэтому скорость рекомбинации при этих значениях Фs оказывается максимальной.
Литература:
1. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов / — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2004. — 488 с: ил. I. 2. Марголин В,И., Жабрев В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники. - М.: Издательский центр "Академия", 2008. - 400 с. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: «Советское радио», 1971, стр. 376.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 901; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |