КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Репрограммируемые ПЗУВ отличие от МПЗУ и ППЗУ, в РПЗУ информация может перезаписываться многократно и храниться несколько лет или даже десятков лет. РПЗУ - это энергонезависимая память, то есть память с сохраняемой на ней информацией, даже при выключенном источнике питания. РПЗУ делится на 2 группы: 1. С электрическим программированием и ультрафиолетовым стиранием (РПЗУУФ, EPROM). 2. С электрическим программированием и электрическим стиранием (РПЗУ, EЕPROM). ЗЯ РПЗУ строятся на пМОП и КМОП транзисторах, при этом используют различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектриками или на границе между диэлектриком и проводником. В первом случае: под затвором расположены два диэлектрика - нитрид кремния и двуокись кремния. Такая структура называется МНОП – металл, нитрид, окись, полупроводник. В этой структуре на границе 2-х диэлектриков при высоком напряжении (30В) появляется большое количество ловушек для носителей заряда, т.е. появляется отрицательно заряженный слой, и при подаче напряжения на затвор в режиме считывания информация может быть считана. Во втором случае затвор МОП транзистора - плавающий, т.е. не связан с другими элементами схемы. Этот затвор заряжается при подаче на сток транзистора высокого напряжения 30В, и при считывании информации этот затвор влияет на ток считывания. Так как в таком транзисторе затвор со всех сторон окружен диэлектриком, то ток утечки практически отсутствует и информация может храниться десятки лет. Для стирания информации в РПЗУУФ используется облучение кристалла ПЗУ ультрафиолетовым светом через специальное окошко в корпусе микросхемы. При этом резко увеличивается ток утечки, а значит, носители заряда постепенно рассасываются. Другой способ перезаписи информации используется в РПЗУ с электрической записью и стиранием. Рис. Структурная схема РПЗУ с электрическим стиранием. РД - регистр данных, УУ - устройство управления, СГ - синхрогенератор, ДА - дешифратор адреса, ВБ - выходной буфер, ORG - сигнал организации памяти, DI - вход данных, DO - выход данных, CS - выбор микросхемы, CLK - синхросигнал. В этих РПЗУ над плавающим затвором размещен второй управляющий затвор, и подача напряжения на этот управляющий затвор приводит к тому, что носители заряда рассасываются за счет туннельного эффекта. По сравнению с РПЗУУФ это РПЗУ имеет следующее преимущество: не требует при перепрограммировании источников дополнительного ультрафиолетового света.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 2663; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |