Эмиттерная стабилизация

Стабилизация режима транзистора

Схема эмиттерной стабилизации приведена на на рис.6-8:

рис.6-8

Стабилизация осуществляется за счет отрицательной обратной связи, создаваемой по току за счет падения напряжения на резисторе R_э.

Напряжение смещения:

,

где

Ток I_д >> I_бо и напряжение практически не зависит от тока базы I_бо. Напряжение U_бэо, и, следовательно, смещение будет изменяться при изменении I_эо только из-за изменения (). Например, пусть растет с ростом температуры (или при смене транзистора). При этом растет ; это приведет к уменьшению U_бэо, Транзистор закроется, ток I_бо соответственно уменьшится, соответственно уменьшится . Для того, чтобы коэффициент усиления не упал, по переменному току закорачивают конденсатором С_Э. Стабилизирующее действие увеличивается с ростом и уменьшением R₁, R₂ (с увеличением I_д). Но при этом необходимо увеличивать E_п (требуемое).

Обычно выдерживают:

Тогда

.

Затем задают

и определяют

.

Для найденных значений R₁, R₂ инаходят коэффициент нестабильности:

Если S_T = 2÷10, то считают стабилизацию удовлетворительной.

Другое объяснение стабилизации.

Эмиттерную стабилизацию можно объяснить действием последовательной ООС: напряжение ОС с Rэ подается на базу последовательно с напряжением Uбэ в противофазе. При этом глубина обратной связи (будет рассмотрено ниже – лекция 8):

F = 1 + (Rэ h21э)/ (Rб + Rэ);

величина входного сопротивления:

Rвх = r_б + r_э (1 + h21э);

и изменение тока коллектора (с учетом ООС) уменьшается:

DIк ос = DIк / F

- т.е. происходит повышение стабильности положения рабочей точки.

Так как действие ООС влияет и на полезный сигнал, то для исключения этого влияния резистор Rэ блокируют конденсатором Сэ.

Дата добавления: 2014-01-07