Перемешивание

Формирование нелинейно-оптической структуры на основе наночастиц меди, внедрённых в матрицу SiO₂, методом динамического ионного перемешивания. Составляющие процесса: 1) электронно-лучевое распыление мишени из кварцевого стекла (штабик), 2) осаждение слоя SiO₂ на имплантируемый образец (подложка), 3) имплантация ионов Cu− (энергия 60 кэВ, флюенс до 1⋅10¹⁷ ионов/см²) в подложку SiO₂

Электронно-микроскопическое изображение поперечного среза МПК Mo/Si после облучения ионами He⁺ с энергией 40 кэВ и дозой 4·10¹⁶ см^-2. Подложка внизу.

Описанные выше структурные изменения в МПК Mo/Si, индуцируемые радиационным воздействием, существенно ухудшают рентгено-оптические характеристики рентгеновских зеркал за счет изменения геометрии и оптических констант слоев.

1. Процесс перемешивания сопровождается увеличением толщины перемешанных зон, уменьшением толщины слоев кремния, молибдена и периода в целом. Толщины перемешанных зон линейно возрастают с увеличением дозы облучения. Прирост перемешанных зон составляет ~1,2 нм и происходит преимущественно за счет их размытия в сторону слоев кремния и сопровождается снижением их плотности.

2. Ионное перемешивание происходит неравномерно по толщине покрытия. Наиболее ин-

тенсивно процесс идет вблизи подложки, где согласно расчетам наблюдается наибольшее выделение энергии при столкновениях.

3. Ионное перемешивание сопровождается генерацией сжимающих механических напряжений, которые нарастают с увеличением дозы облучения, достигая ~2,9 ГПа при дозе 4⋅10¹⁶ см^–2.

Дата добавления: 2014-01-07