Причины возникновения неоднородного распределения примеси по длине кристалла

Способы получения однородно легированных кристаллов и принципы аппаратурного оформления процессов получения однородно легированных монокристаллов

Как говорилось ранее, при эффективном коэффициенте распределения, отличным от единицы (), распределение даже нелетучей легирующей примеси по длине кристалле будет отвечать соответствующим уравнениям: (45) – для направленной кристаллизации; (49) – для однопроходной зонной плавки и (53) для многопроходной зонной плавки. Рассчитанный в предыдущем параграфе уровень легирования будет справедлив начальной части кристалла, а выход годного (G) будет определяться величиной допустимого отклонения от номинального уровня легирования.

Мерой неоднородности измеряемого параметра (концентрации носителей заряда, удельного сопротивления и т.д.) служит величина допустимого разброса этого параметра D, выраженная в процентах:

(61)

где и – допустимые максимальное и минимальное значения этого параметра, соответственно.

Если не предпринимать никаких специальных мер, то для метода Чохральского:

(62)

где знак «плюс», если , и «минус», если .

Для зонной плавки:

(63)

где L и l длина кристалла и расплавленной зоны, соответственно.

Величина G в таком случае невелика. Например, при и D = ± 5% она составляет 5,1%.

Рассмотрим некоторые пути увеличения выхода годной части кристалла.

Дата добавления: 2014-01-07