Кинетика процессов ГФЭ

Аппаратурное оформление процессов ГФЭ

Нужна высокая производительность и воспроизводимость свойств получаемых слоёв.

1. Метод вакуумного распыления

2. и 3. Методы газотранспортной реакции и гетерогенного синтеза.

Стадии:

1. Гетерофазные процессы в зоне источника

2. Процессы химического взаимодействия в газовой фазе

3. Процессы переноса в газовой фазе

4. Гетерофазные процессы в зоне осаждения

3 и 4 – лимитирующие стадии.

Процессы массопереноса (3) осуществляется:

- диффузионным путём (в закрытых системах при малых давлениях газов и малых геометрических размерах реакторов)

- конвекцией (в большинстве остальных случаев)

При высоких температурах процесс в основном лимитируется диффузией в газовой фазе.

При низких температурах процесс и идёт в кинетической области.

Характерным признаком кинетических ограничений является зависимость f от кристаллографической ориентации подложки, следовательно, если есть зависимость f от кристаллографической ориентации, то лимитирующая стадия 4.

Так как процессы ГФЭ пытаются вести при низких температурах, то возникают проблемы повышения скорости роста, следовательно, применяют методы стимуляции эпитаксиального осаждения: используют электромагнитное излучение (УФ, видимый и ИК-диапазон)

Для выбора вида стимулирующего излучения необходимо тщательно исследовать лимитирующие стадии и знать их энергии активации.

Список литературы

Основная литература:

1. Нашельский А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. М.: Металлургия, 1993.

2. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1987.

3. Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников.– М.: Металлургия, 1978.

4. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: Высшая школа, 1990.

5. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. – М.: ИПЦ МИСиС, 1995.

6. Металлургия и технология полупроводниковых материалов. Под ред. Сахарова Б.А. – М.: Металлургия, 1972.

7. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. – М.: Металлургия, 1983.

8. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия: 1982.

Дополнительная литература:

1. Акчурин Р.Х., Фиалковский О.П. Технология полупроводниковых материалов (Руководство для решения задач). Учебно-методическое пособие. – М.: ИПЦ МИТХТ, 1996.

2. Акчурин Р.Х., Фиалковский О.П. Технология полупроводниковых материалов (Руководство для проведения семинарских занятий). Учебно-методическое пособие. – М.: ИПЦ МИТХТ, 1996.

3. Андреев В.М. и др. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1975.

4. Маслов В.Н. Репродукционная эпитаксия. – М.: Металлургия: 1981

5. Скворцов И.М. Технология и аппаратура газовой эпитаксии германия и кремния. М.: Энергия, 1978.

6. Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов. – М.: Металлургия, 1977.

7. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976.

8. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М.: Металлургия, 1974.

9. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. – М.: Наука, 1986.

10. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. (под редакцией Л. Ченга и К. Плога). – М.: Мир, 1989.

11. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1986.

12. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. – М.: Металлургия, 1988

13. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения A³B⁵: Справочник. – М.: Металлургия, 1984

14. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1987

15. Шашков Ю.М. Металлургия полупроводников. – М.: Металлургия, 1960

Дата добавления: 2014-01-07