Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

С.Н. Артеменко. Электронные свойства твердых тел. Курс лекций (электронная версия). МФТИ, 2001

Рекомбинация неравновесных носителей в полупроводниках.

Сверхпроводимость.

Контактные явления. Неоднородные электронные системы.

Условия равновесия контактирующих проводников. Электронное сродство, работа выхода и контактная разность потенциалов. Распределение концентрации электронов и электрического поля вблизи контактов металл-полупроводник и полупроводник-полупроводник. Длина экранирования электрического поля. Вольтамперная характеристика p-n перехода и ее физическая интерпретация.

Размерное квантование и низкоразмерные электронные системы.

Экранирование межэлектронного взаимодействия электронами и ионами и эффективное притяжение между электронами. Спектр элементарных возбуждений в сверхпроводнике. Незатухающий ток.

 

Межзонная излучательная рекомбинация, примесная рекомбинация (рекомбинация Холла-Шокли-Рида), межзонная Оже-рекомбинация. Зависимость скорости рекомбинации Холла-Шокли-Рида от концентрации рекомбинационных центров при слабом отклонении полупроводника от равновесного состояния.

Литература

Основная:

[1] А.И.Ансельм. Введение в теорию полупроводников. М., Наука, 1978.

[2] В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. Физика полупроводников. М.,Наука, 1990.

[3] Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. В 2-х томах. Мир, 1979

[4] Ф.Блатт. Физика электронной проводимости в твердых телах. М., Мир, 1971.

[5] О. Моделунг. Теория твердого тела. М., Наука, 1980.

[6] А.С. Давыдов. Теория твердого тела. М., Наука, 1976.

[7] Ф. Зейтц. Современная теория твердого тела. М.-Л., Госиздат технико-теоретической

литературы, 1949.

[8] Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. М., Мир, 1966.

Адиабатическое приближение и приближение самосогласованного поля:

[1, 5, 7],

[9] Дж. Слэтер. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М., Мир, 1978.

[10] А.С. Давыдов. Квантовая механика. М., Наука, 1973.

[11] Р. Мак-Вини, Б. Сатклиф. Квантовая механика молекул. М., Мир, 1972.

[12] В.А. Фок. Начала квантовой механики. М., Наука, 1976.

[13] А. Мессиа. Квантовая механика. том 2, М., Наука, 1979.

[14] В. И. Смирнов. Курс высшей математики. Том III, часть 1., Изд. 8, М., Физматгиз, 1958

(о матрицах и их диагонализации).

Теорема Блоха, квазиимпульс, обратная решетка, зона Бриллюэна, общие характеристики энергетических зон:

[1], [2], [4-6], [8],

[15] Дж. Каллуэй. Теория энергетической зонной структуры. М., Мир, 1969.

[16] Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. М., Мир, 1968.

[17] В. И. Смирнов. Курс высшей математики. Том II, Изд. 18, М., Физматгиз, 1961 (о способе

комбинации собственных функции для приведения их к взаимной ортогональности).

 

Лавинное размножение носителей:

[18] Техника оптической связи. Фотоприемники. Под ред. У. Тсанга. М.: Мир, 1988.

[19] Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980.

[20] В. А. Холоднов. Коэффициенты размножения носителей в p-n структурах // ФТП, т. 30, № 6, с. 1051-1063,

(июнь 1996).

 

Межзонное туннелирование:

[8],

[21] Туннельные явления в твердых телах. Под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста. М., Мир, 1973.

 

Рекомбинация неравновесных носителей в полупроводниках:

[2],

[22] Дж. Бдекмор. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. М., Мир, 1964.

[23] Р. Смит. Полупроводники. М., Мир, 1982.

[24] В. А. Холоднов. К теории рекомбинации Холла-Шокли-Рида // ФТП, т. 30, № 6, с. 1011-1025 (июнь 1996).

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Основные эффекты в полупроводниках в сверхсильных электрических полях | Красноярск 2012
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 583; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.015 сек.