Следовательно, в такой структуре имеется градиент концентрации подвижных носителей заряда каждого знака

Под действием разности концентраций электроны из n-области будут перемещаться в p-область,

а дырки из р-области – в n-область.

Под действием разности концентраций электроны из n-области будут перемещаться в p-область,

а дырки из р-области – в n-область.

На месте ушедшей дырки в p-области навелся отрицательный заряд да еще электрон пришел из n-области, на месте ушедшего электрона n-области навелся положительный заряд впридачу пришел положительный заряд из р-области.

В результате на границах р-n-перехода слева сформировался отрицательный пространственный заряд, а справа - положительный пространственный заряд.

Этот двойной электрический слой создаёт электрическое поле с напряжённостью Е₀ и приводит к появлению внутри полупроводника потенциального барьера φ₀.

Это поле вызывает также направленное движение неосновных носителей заряда через переход – дрейфовый ток, направленный навстречу диффузному току I _др = I _ДРр + I _ДРn

В конце концов эти токи сравняются I _ДР = I _ДИФ Наступит равновесное состояние и результирующий ток окажется равным нулю.

Структуру с повышенной концентрацией носителей принято обозначать символом p⁺.

2.2 Подключение внешнего источника напряжения к p-n-переходу

Дата добавления: 2014-01-07