Лекция 11. Схема включения транзистора ОБ

Схема включения транзистора ОБ

Физическая Т-образная эквивалентная схема

Физическая Т-образная эквивалентная схема

Эквивалентная схема для включения транзистора по схеме общий эмиттер (ОЭ).

Установим в центре базы теоретическую точку.

Эквивалентная схема для включения транзистора по схеме общий эмиттер.

I_Э = I_К + I_б

Ток коллектора протекает также по сопротивлению учтем этот ток.

Эквивалентная схема составлена для постоянного тока.

Схему можно использовать для анализа схем на переменном токе, приняв условия

r_Э - дифференциальное сопротивление перехода Э-Б, включенного в прямом направлении.

φ_Т – температурный потенциал p-n-перехода.

При температуре 20 ºС φ_т = 0,025В или 25мВ.

Если задан ток эмиттера I_э = 1 мА, то

- барьерная емкость коллекторного перехода при включении транзистора по схеме ОЭ.

Наличие в схеме реактивного элемента в виде емкости говорит о том, что в общем виде схема является частотнозависимой.

Ток также можно не учитывать, т.к. сопротивление r_K^* относительно большое. Поэтому во многих случаях анализа схем используют соотношение. I_К = В·I_б

Параметры малосигнальной Т-образной эквивалентной схемы:

Таким образом, получена обычная электротехническая цепь, состоящая из пассивных и активных элементов.

К ней применимы все законы электротехники, позволяющие проводить анализ и синтез цепей.

Генератор тока В·I_б можно заменить генератором напряжения на основании теоремы об эквивалентном генераторе.

Тогда в схеме останутся генераторы напряжений. Недостаток модели состоит в том, что r-параметры можно получить только теоретически, расчетным путем.

Ток эмиттера является управляющим, ток коллектора – управляемым.

Дата добавления: 2014-01-07