Принцип работы ПТ

Структура ПТ с управляющим p-n-переходом

ПТ представляет собой пластину слаболегированного полупроводника n-типа, на боковой грани которой сформирована область обогащенного полупроводника р-типа. Эти области образуют p-n-переход.

Электрод, через который в канал втекают носители тока называется исток (и). Электрод, через который носители тока вытекают из канала – сток. Электрод, называемый затвором, предназначен для регулирования поперечного сечения канала.

Концентрация носителей n-типа в канале много меньше концентрации дырок в области затвора.

Поэтому область p-n-перехода, обедненная носителями, будет располагаться в основном, в канале.

Подключим к структуре внешние источники напряжения. Управляющий p-n-переход включен в обратном направлении и имеет высокое сопротивление.

Принцип действия такого транзистора заключается в том, что при изменении напряжения на затворе изменяется толщина обедненного слоя, а следовательно, изменяется сечение канала, проводимость канала и ток стока. Т.е. изменением напряжения на затворе можно управлять током стока.

При некотором напряжении Uзи канал полностью перекроется обедненной областью

p-n-перехода и ток стока уменьшится до нуля.

Это напряжение является параметром транзистора и называется напряжением отсечки тока стока Uзи.отс.

Примем Uзи = 0. При небольших напряжениях сток-исток Uси канал ведет себя как линейное сопротивление. По мере роста напряжения обедненный слой будет расширяться, причем около стока в большей мере, чем около истока. Сечение канала будет уменьшаться и рост тока замедлится.

Начиная с напряжения Uси = Uзи.отс в транзисторе будет наблюдаться режим насыщения. Этот эффект называют эффектом модуляции длины канала.

Дата добавления: 2014-01-07