Прямое и обратное включение п.п. диода с p – n переходом

http://www.pppa.ru/additional/02phy/06/quantum_physics_41.php

ВЫВОДЫ

1. , полупроводник n-типа (рис. 1.23, а). В данном случае будет преобладать выход электронов из металла в полупроводник, поэтому в слое полупроводника около границы раздела накапливаются основные носители (электроны), и этот слой становится обогащенным, т. е. имеющий повышенную концентрацию электронов. Сопротивление этого слоя будет малым при любой полярности приложенного напряжения, и, следовательно, такой переход не обладает выпрямляющими свойствами. Его иначе называют невыпрямляющим переходом.

2. , полупроводник p-типа (рис. 1.24, б). В этом случае будет преобладать выход электронов из полупроводника в металл, при этом в приграничном слое также образуется область, обогащенная основными носителями заряда (дырками), имеющая малое сопротивление. Такой переход также не обладает выпрямляющим свойством.

Рис. 1.23. Контакт «металл – полупроводник», не обладающий выпрямляющим свойством

3. , полупроводник n-типа (рис. 1.24, а). При таких условиях электроны будут переходить главным образом из полупроводника в металл и в приграничном слое полупроводника образуется область, обедненная основными носителями заряда и имеющая большое сопротивление. Здесь создается сравнительно высокий потенциальный барьер, высота которого будет существенно зависеть от полярности приложенного напряжения Если , то возможно образование инверсного слоя (p-типа). Такой контакт обладает выпрямляющим свойством.

Рис. 1.24. Контакт «металл – полупроводник», обладающий выпрямляющим свойством

4. , полупроводник p-типа (рис. 1.24, б). Контакт образованный при таких условиях обладает выпрямляющим свойством, как и предыдущий.

Дата добавления: 2014-01-15