ВАХ диристора и тиристора (общая)

I´´´y > Iy

Если ток управления Iд = 0 (диристорный режим). При диристорном режиме включение тиристора и малых внешних напряжений. Iанода мало чем отличается от теплового Iко.

Приложенное напряжение Uанода (U между анодом и катодом) небольшое. Ua < Uпереключения

Допереходы Р1 и Р3 смещаются в прямом направлении, а Р2 в обратном. При отсутствии внешнего напряжения (Ua) в P – N переходе возникают потенциальные барьеры, как у диода или биполярного транзистора.

Потенциальные барьеры снижаются при прямом смещении перехода (Р1 и Р3), ток переходов определяется неосновными носителями зарядов, а так же эффектом лавинного размножения носителей заряда в обратно смещенном переходе Р2.

Iобщ = Iко/1-α1-α2

Iко – сумма тока термогенерации и теплового тока в Р2.

α1 и α2 – коэфиценты передачи токов от Р1 и Р3 к Р2

При увеличении анодного напряжения Iобщ растет, т.к. увеличивается смещение переходов Р1 и Р3.

Когда внешнее напряжение Ua становится Uпереключения, внутренне положенная связь вызывает лавинообразный процесс инжекции основных процессов. Резкое увеличение концентрации электронов и дырок в Р2 приводит к быстрому снижению напряжения обратного смещения перехода Р2, следовательно и уменьшению напряжения Uа на всем приборе. Это значит что ВАХ тиристора имеет участок отрицательного сопротивления (аb участок). Рабочий участок (bd) когда ток ограничивается только сопротивлением нагрузки. Для выключения тиристора нужно уменьшить прямой ток Ia что бы его значение не больше тока включения Iвкл (точка С), или приложить к структуре тиристора напряжение обратной полярности. При смещении тиристора в обратном направлении ВАХ имеет такой же вид как и у диода (ОЭ).

Напряжение переключения можно уменьшить если в цепь примыкающей к переходу Р2 внести от внешнего источника дополнительное число носителей заряда за счет тока управления (тиристорный режим).

Iтир(общ) = (Iко + α2 · Iупр)/1-α1-α2

Дата добавления: 2014-01-20