Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Общие параметры диодов

Полупроводниковых диодов

Классификация и система обозначений

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный прибор, который, как правило, содержит один или несколько электрических переходов и два вывода для подключения к внешней цепи.

Принцип работы большинства полупроводниковых диодов (ППД) основан на использовании физических свойств и явлений в электрическом переходе. Основные свойства электронно-дырочного перехода, который активно применяется в ППД, заключаются в следующем:

- ассиметрия вольтамперной характеристики электронно-дырочного перехода;

- электрический пробой электронно-дырочного перехода;

- зависимость барьерной ёмкости от напряжения на электронно-дырочном переходе.

 

В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы: выпрямительные, универсальные, импульсные, сверхвысокочастотные, варикапы, туннельные, обращенные, фото- и излучательные, стабилитроны.

По типу p-n перехода различают полупроводниковые диоды плоскостные и точечные. Плоскостным называют p-n переход, линейные размеры которого, определяющие их площадь, меньше толщины области объемного заряда.

Система обозначений полупроводниковых диодов состоит из буквенных и цифровых элементов. Для диодов, разработанных после 1964 г., в качестве первого элемента обозначения используют букву или цифру, определяющую исходный материал из которого изготовлен диод: «Г» или 1 – германий или его соединения, «К» или 2 – кремний и его соединения, «А» или 3 – соединения галлия. Вторым элементом служит буква, определяющая подкласс прибора (выпрямительные – «Д», стабилитроны – «С» и др.). После второго элемента идет число, характеризующее назначение прибора, номер разработки. Обозначения заканчиваются буквами русского алфавита, характеризующими специальные параметры диода.

Система обозначений диодов, разработанных до 1964 г., состоит из двух или трех элементов. Первым элементом является буква «Д». Вторым элементом служит число, указывающее классификационную группу диода. Третьим элементом является буква, характеризующая разновидность диода в данной группе.

Свойства полупроводниковых диодов оценивают параметрами. Различают общие параметры, которыми характеризуется любой полупроводниковый диод, и специальные параметры, присущие только отдельным диодам.

 

К общим параметрам диодов относят: допустимую температуру перехода, допустимую мощность, рассеиваемую диодом, допустимый прямой ток и максимально-допустимое обратное напряжение.

Когда через диод проходит ток, при заданном напряжении на диоде выделяется мощность Рд = IU. Выделение этой мощности сопровождается нагреванием диода, что приводит к росту обратного тока и увеличению вероятности возникновения теплового пробоя

p-n перехода. Для исключения теплового пробоя температура p-n перехода должна быть меньше допустимой температуры перехода Tпmax. Как правило, эта температура для германиевых диодов составляет 70°С, а для кремниевых – 125 °С. Выделяемая теплота рассеивается диодом в окружающую среду, имеющую температуру Tср. Перепад температур между переходом и средой определяется выражением

, (2.1)

где RT – тепловое сопротивление, характеризующее условия отвода теплоты от диода (конструкцию корпуса, наличие радиаторов и т. д.). Величина RT определяется экспериментально и приводится в справочниках. При допустимой температуре перехода на диоде выделяется допустимая рассеиваемая мощность

. (2.2)

Режим диода необходимо выбирать из условия . Темпе-ратура диода зависит от прямого тока. Прямой ток, при котором температура p-n перехода диода достигает значения , называют допустимым прямым током и обозначают .

Важным параметром диодов является допустимое обратное напряжение , при котором не происходит пробоя p-n-перехода. Обычно ≤0.8.

Кроме вышеперечисленных, общими для всех видов диодов считаются параметры, определяемые по вольтамперным характеристикам (рис. 2.1).

 
 

 

 


Рис. 2.1. Иллюстрация к определению приращений токов и напряжений по вольтамперной характеристике диода

 

Прямое и обратное сопротивления диода постоянному току выражаются следующими соотношениями:

 

. (2.3)

 

Прямое и обратное сопротивление (сопротивления переменному току):

Прямое и обратное сопротивление (сопротивления переменному току):

. (2.4)

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Микрофлора влагалища | Доброкачественность
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-20; Просмотров: 680; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.016 сек.