Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Зависимость коэффициента передачи по току от напряжения на коллекторе




Влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току

В общем случае влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды описываются функционалом: β = F [ Uкэ, Ik, TْC ]. Чтобы выяснить влияние напряжения на коллекторе на значение коэффициента передачи по току, необходимо принять значение Ik и TْC постоянными величинами. Тогда функционал преобразуется к виду:
β = F [ Uкэ]Ik, TْC=const. График зависимости β от напряжения на коллекторе представлен на рис.3.18.

Рис.3.18. Зависимость коэффициента передачи по току
от напряжения на коллекторе

Для пояснения графика рис.3.18 необходимо отметить что коэффициент β зависит от коэффициента передачи по току α в схеме включения с общей базой. А величина α в основном определяется коэффициентом переноса , характеризующим область базы:

; (3.19)

(3.20)

где w – толщина базы, Lp – длина диффузии дырок в базе(для транзистора p-n-p типа). В свою очередь толщина базы изменяется от величины напряжения на коллекторе вследствие эффекта модуляции толщины базы. В этом случае толщина базы записывается в виде:

, (3.21)

где w0 – равновесная толщина базы при нулевом напряжении на коллекторе; lk0 – равновесная ширина перехода коллектор – база; - модуль напряжения на переходе коллектор м- база.

Из выражения (3.21) видно, что ширина коллекторного перехода от напряжения Uкб изменяется нелинейно, поэтому при малых изменениях модуля напряжения будет больше изменение толщины базы и зависимость рис. 3.18 этот факт учитывает участком АВ. При б`ольших напряжениях на коллекторе зависимость β на рис.3.18 имеет линейный характер (участок ВС). Например, для транзистора p-n-p типа имеем при Uкб1= -2 В α1=0,96, а при Uкб2= -30 В α1=0,98. Тогда, β124, а β2=48, то есть малым изменениям коэффициента α на участке ВС соответствует достаточно большие изменения коэффициента β. На участке СD зависимости рис.3.18 наблюдается лавинное размножение носителей заряда в коллекторном переходе, но этот режим входит в нерабочую область на выходных характеристиках биполярного транзистора и не используется в практических схемах.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-20; Просмотров: 1441; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.