Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Р – Т фазовые диаграммы

Диаграммы однокомпонентных систем, изображенные в координатах РТ, представляют собой проекции диаграмм построенных в координатах G–Т–Р (где G – изобарно-изотермный потенциал), на плоскость РТ (рис. 10.2). Диаграммы GТР наглядно демонстрируют равенство химических потенциалов компонента (или адекватное ему в условиях однокомпонентной системы - равенство изобарно-изотермных потенциалов фаз) в условиях фазового равновесия.

Диаграммы РТ представляют собой фазовые диаграммы однокомпонентных систем, в которых фазовые превращения обусловлены только изменениями температуры и давления.

РТ -диаграммы веществ, не испытывающих полиморфных превращений в твердом состоянии, схематически представлены на рис. 10.2, б, в. Фазовые области, соответствующие твердому, жидкому и парообразному состояниям, разделены линиями моновариантных двухфазных равновесий: ОА - кривая сублимации; АС - кривая плавления; АВ - кривая испарения (кипения), вдоль которых реализуются равенства:

 

G тв = G ж или G ж = G п

или

μ тв = μ п, μ тв = μ ж и μ ж = μ п.

 

 

  Рис. 10.2. 9.2. Фазовая диаграмма однокомпонентной системы: а - диаграмма, построенная в координатах GTP; указаны поверхности изобарно-изотермного потенциала G отдельных фаз линии пересечения двух из этих поверхностей отвечают моновариантному, а точка пересечения трех поверхностей - нонвариантному равновесию фаз; б, в - диаграммы, построенные в координатах РТ, при этом плавление твердой фазы сопровождается увеличением (б) и уменьшением (в) удельного объема  

 

Точка А является нонвариантной и соответствует трехфазному равновесию.

Задача 10.1. Определить число степеней свободы в точке А, рис.10.2.

 

Диаграммы на рис. 10.2, б, в, различаются наклоном кривой плавления АС. Наклон каждой из двух кривых определяется знаком производной пл/ dP, который в свою очередь определяется знаком изменения удельного объема при фазовом превращении данного типа.

Увеличение давления повышает температуру фазового превращения, если оно сопровождается увеличением удельного объема, и понижает эту температуру, если в процессе фазового превращения удельный объем уменьшается.

Таким образом, при dV / dT > 0 и dT / dP > 0 линия фазового превращения наклонена вправо, а при dV / dT < 0 и / dP < 0 - влево.

 

Испарение и сублимация всегда сопровождаются увеличением удельного объема, поэтому кривые ОА и АВ всегда наклонены вправо.

Знак изменения удельного объема и, следовательно, плотности при плавлении неоднозначен. Если при плавлении металлов ∆ V всегда положительно (рис. 10.2, б), то при плавлении полупроводников знак изменения ∆ V зависит от того, сопровождается ли переход в жидкое состояние изменением характера химических связей или нет.

При плавлении полупроводников возможны следующие два случая перехода из твердого состояния в жидкое:

1) полупроводник → полупроводник,

2) полупроводник → металл.

В первом случае, характерном для таких веществ, как сера, селен, теллур, соединений Bi2Te3, Cu2S, некоторых соединений типа А II В VI (например CdTe), ∆ V > 0, во втором, характерном для германия и кремния, а также для ряда соединений типа А III В V, наоборот, ∆ V < 0 (рис. 10.3).

 

  Рис. 10.3. Изменение плотности при плавлении полупроводниковых веществ: а - теллур (при плавлении сохраняются ковалентные р 2-связи), б - германий (при плавлении разрушаются ковалентные 3-гибридные связи)

 

Уменьшение удельного объема при плавлении полупроводников вызвано тем, что характерная для ковалентных соединений некомпактная упаковка атомов в решетках типа алмаза или сфалерита сменяется более компактной упаковкой с большим координационным числом, характерным для металлических веществ.

Таким образом, высокие давления повышают температуру плавления металлов и понижают ее у некоторых полупроводников.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Лекция № 10. Физическое материаловедение | Р – Т-диаграммы веществ, испытывающих в твердом состоянии полиморфные превращения
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 1311; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.034 сек.