АФ по производным

«Программа расчета характеристик смесительных диодов при использовании АФ i = i₀[a v (arctg(a v) + π/2) + 1]» показана ниже на следующей странице в Пр. 2.3. В программу вводятся 4 АП из программы раздела 1.3.3. и параметры расчета аналогичные программе в разделе 2.2.2.

Результатом расчета с использованием ПМИ для расчета (1.15) является матрица It, аналогичная ранее упоминавшимся матрицам Ix и Ir. Сравнение параметров It и Ir показывает их близкое совпадение вплоть до третьей производной по напряжению. Четвертая производная выявляет их некоторое различие. Аналогично предыдущему на рис. 2.3 строится график третьей гармоники третьей производной по напряжению It3₃, показанный на рис. 2.4.

Сопоставление результатов использования 3-х аппроксимаций показывает:

1. Наиболее простая экспоненциальная АФ дает завышенные результаты расчета АТКЧ на порядки и более при порядках комбинационного преобразования 3 и более и может быть рекомендована для предварительных расчетов.

2. Более сложные АФ показывают, что АТКЧ меняются немонотонно с изменением напряжений гетеродина. АТКЧ могут становиться равными нулю и менять свою полярность, что соответствует практическим измерениям. В точках перехода через ноль результаты расчета АТКЧ должны подвергаться проверке на устойчивость и при необходимости заменяться другими значениями за пределами заданного режима, обусловленные изменением температуры, старением элементов в процессе эксплуатации, что затрудняет использование результатов и требует проведения дополнительных исследований.

Пр. 2.3

Для расчета АТКЧ может быть использованы ПМИ, полученные в ПР. 2.3, для задаваемых в ПР. 2.3. АП и максимального напряжения гетеродина
, прикладываемого к смесительному диоду. Половинные значения АТКЧ определяются из (1.11), аналогично (2.20, уравнением:

, (2.21)

а численные значения (1.15) определяются из приводимой в ПР. 2.3 матрицы It. Остальные параметры р и m поясняются в (2.20).

Дата добавления: 2014-11-06