Предельные эксплуатационные данные. Напряжение сток-исток

Напряжение сток-исток.................................... 25 В

Напряжение затвор-сток, затвор-исток......... 30 В

Постоянный ток стока...................................... 20 мА

Прямой ток затвора.......................................... 5,0 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗГ, 2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ при Т= 213 … 298 К; КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ

при Т = 233 … 298 К.................................. 200 мВт

при Т =358 К........................................... 100 мВт

Температура окружающей среды:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗГ, 2ПЗОЗД,

2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ От 213 до 398 К

КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД,

КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ.................. От 233 до 358 К

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеи­ваемая мощность, мВт, 2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗГ, 2ПЗОЗД, КПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ при Т = 298 … 398 К рассчитывается по формуле

Р_макс = 200-1,45(Т-298),

а КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ при Т =298 … 358 К по формуле

Р_макс = 200-1,66(Г-298).

2. Соединение выводов транзистора с элементами аппаратуры разрешается на расстоянии не менее 4 мм от корпуса. Жало паяльника должно быть заземлено.

Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса тран­зистора 3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм.

Допускается однократный изгиб вывода на расстоянии 3 мм от корпуса с радиусом 0,5 мм.

При повышенной влажности для обеспечения тока затвора не более 10^-9 А рекомендуется использовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры или при местной защите прибора от воздействия влаги.

Транзисторы КПЗОЗГ допускается однократно использовать Т = 233 … 123 К.

Передаточная характеристика полевого транзистора с управляющим p-n- переходом

Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток

Зависимости начального тока стока, крутизны характеристики и сопротивления сток-исток в открытом состоянии от напря­жения отсечки

ЛИТЕРАТУРА

1 Электронные приборы: Учебник для вузов/ В.Н. Дулин, Н.А.Аваев, В.П. Демин и др. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - С.12-82, с.97-113.

2 Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. - С.19-50.

3 Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1986. - С.8-48.

4 Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. П/р Н. Н. Горюнова. М:, Энергоиздат 1982 г.

Дата добавления: 2014-10-15