КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Описание лабораторной установки. Исследование электрических режимов пробоя p-n перехода
Исследование электрических режимов пробоя p-n перехода Лабораторная работа №3 Вопросы для допуска к работе 1. На одних осях изобразить вольтамперные характеристики германиевого p-n перехода для двух разных температур. 2. На одних осях изобразить вольтамперные характеристики кремниевого p-n перехода для двух разных температур. 3. Объяснить порядок и методику выполнения работы. Контрольные вопросы и задания 1. Как зависит от температуры концентрация неосновных носителей заряда в полупроводнике? 2. Как влияет температура на величину обратного тока через p-n переход? 3. Как влияет температура на величину контактной разности потенциалов p-n перехода? 4. Как зависти от температуры величина прямого тока p-n перехода? 5. На одних осях изобразить семейства вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов для двух разных температур. Объяснить, почему температура по-разному влияет на каждое семейство. Целью лабораторной работы является изучение функционирования p-n перехода в режиме электрического пробоя. С этой целью в данной работе снимаются обратные ветви вольтамперных характеристик стабилитронов с лавинным и туннельным типами пробоя. Исследования зависимости величины обратного тока от величины обратного напряжения в режиме электрического пробоя p-n перехода выполняются на лабораторной установке, представленной на рис. 16. Описание установки приведено в лабораторной работе №1 на стр. 31. Электрической схемой исследования p-n перехода в режиме пробоя является схема на рис. 17, б, в которую вместо выпрямительного диода следует подключить стабилитрон в обратном направлении. При выполнении сборки схемы необходимо проконтролировать отсутствие перемычки в разъеме объединительной платы А1, в противном случае исследуемый p-n переход может быть поврежден. Поскольку в режиме пробоя через обратно включенный p-n переход протекает значительный ток, пределы измерений амперметра PA1 в схеме на рис. 17, б должны быть установлены 0-20 мА. Задания к лабораторной работе Задание 1. Снять зависимости обратного тока от обратного напряжения для p-n переходов двух стабилитронов: с лавинным и с туннельным видами пробоя. Результаты измерений занести в таблицу 5. Таблица 5
Задание 2. По данным таблицы 5 на одних осях построить обратные ветви вольтамперных характеристик p-n переходов с режимом электрического пробоя. По графикам установить соответствие между характеристиками и видами пробоя p-n перехода. Рядом с характеристиками сделать подписи: «лавинный», «туннельный». Объяснить свое решение.
Дата добавления: 2014-10-17; Просмотров: 342; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |