КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Полупроводниковые диоды
Диод – это полупроводниковый прибор, имеющий малое сопротивление проходящему по нему току в прямом и большое сопротивление в обратном направлении. Работа диодов основана на p–n – переходе. По конструктивно-технологическим признакам (рис. 1) диоды делятся на точечные и плоскостные. У первых p-n переход образуется в месте контакта металлической иглы с полупроводниковой пластиной, у вторых – на границе раздела полупроводников с разной электропроводимостью.
У плоскостных диодов больше площадь проводного слоя и поэтому они пропускают большие токи. Недостаток – большая емкость проводного слоя, в связи с чем они не могут применяться при больших частотах. Для изготовления диодов применяют германий (не выше + 70 С), кремний (до 125-150 С), арсенид и фосфид галлия. По применению диоды бывают выпрямительные, универсальные, импульсные, варикапы, туннельные и туннельные обращенные, излучающие, сверхвысокочастотные, стабилитроны и стабисторы (условные обозначения см. на рис. 2, внешний вид некоторых диодов – на рис. 3).
Вольтамперная характеристика диода выражает зависимость тока I, протекающего через диод, от величины и полярности приложенного к нему напряжения U (рис. 4).
Чем круче прямая ветвь и чем ближе к горизонтальной оси обратная ветвь, тем лучше выпрямительные свойства диода. При достаточно большом обратном напряжении наступает пробой, т.е. резко возрастает обратный ток и диод перестает выполнять свои функции. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления тока низкой частоты (менее 50 Гц), выполнены обычно плоскостными для передачи больших токов, материал полупроводника – кремний.
Основные параметры: · постоянное прямое и обратное напряжение при заданном постоянном токе; · постоянный прямой ток в прямом направлении; · постоянный обратный ток при заданном обратном напряжении. Максимально допустимые параметры: · максимально допустимое постоянное обратное напряжение; · максимально допустимый постоянный прямой ток; · максимально допустимый средний прямой ток; · максимально допустимый средний выпрямленный прямой ток; · максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода. Высокочастотные диоды – приборы универсального назначения: для выпрямления токов в широком диапазоне частот (до нескольких сотен МГц), для модуляции, детектирования и других нелинейных преобразований. По конструкции – точечные диоды. Имеют те же свойства, что и выпрямительные, но в гораздо более широком частотном диапазоне. Импульсные диоды предназначены для преобразования импульсных сигналов (в детекторах видеосигналов, ключевых и логических устройствах), в основном – точечной конструкции. Основные параметры: · импульсное (пиковое) прямое напряжение при заданном импульсе прямого тока; · импульсное (пиковое) обратное напряжение; · емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении и частоте; · время установления прямого напряжения – интервал времени с момента подачи импульса прямого тока на диод до достижения заданного прямого напряжения; · время восстановления обратного сопротивления – интервал времени с момента прохождения через нуль после переключения диода из состояния заданного тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения заданного обратного тока; · заряд переключения – часть накопленного заряда, вытекающего во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. К максимально допустимым параметрам относятся: максимально допустимый прямой импульсный ток, максимальная и минимальная рабочие температуры.
Внешне импульсные диоды представляют собой небольшой (несколько миллиметров в длину) стеклянный (старые конструкции) или пластмассовый корпус различной конфигурации с двумя металлическими выводами.
Дата добавления: 2014-10-31; Просмотров: 2224; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |