Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Электронные ключи




Схемы электронных ключей приведены на рисунках 2.14 и 2.15. Ключи на полевых транзисторах с управляющим PN переходом и с изолированным затвором в настоящее время получим преимущественное распространение в интегральных микросхемах.

Рисунок 2.15 – Ключ на МДП-транзисторе  
Рисунок 2.14 – Электронный ключ на БТ

Процессы при включении и выключении биполярного транзистора.

При отсутствии тока базы, транзистор закрыт и ключ разомкнут, а при протекании через базу тока управления Iб > Iб нас ключ замкнут.

Временные диаграммы включения и выключения биполярного транзистора приведены на рисунке 2.16.

Рисунок 2.16 – Временные диаграммы включения и включения БТ

 

Переходный процесс при включении транзистора можно разбить на три интервала: t зад – интервал задержки, t ф – интервал формирования фронта коллекторного тока, t нак – интервал накопления избыточного заряда в базе.

На интервале t зад происходит перезаряд барьерной емкости С ЭП ЭП транзистора от U БЭ запдо U БЭ пор.

На интервале t ф происходит процесс перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода С КП и процесс накопления неосновных носителей заряда в области базы.

Интервал накопления t нак. Переходный процесс собственно в транзисторе в момент t 2 не заканчивается, то есть реальный ток базы больше тока I Кнас/ h 21Э и в области базы продолжается процесс накопления избыточного заряда.

Переходный процесс при выключении транзистора можно разбить на три интервала t 0- t 1 – рассасывание избыточного базового заряда(t рас), t 1- t 2 – формирование спада коллекторного тока(t сп), t 2- t 3 – установление стационарного запретного состояния(t уст).

На интервале t рас (t 0- t 1 ) сразу же после смены полярности управляющего напряжения и, следовательно смены направления протекания тока базы происходит уменьшение объемного заряда базы.

Интервал t сп (t 1- t 2) формирование тока коллектора по физике процесса аналогичен интервалу формирования фронта тока коллектора при включении транзистора. На нем происходит как изменение(уменьшение) объемного заряда базы от Q Бгр до нуля, так и перезаряд емкости коллекторного перехода С КП.

Интервал установления t уст (t 3- t 2) стационарного закрытого состояния связан с уменьшением базового напряжения от U БЭ пор до U у.зап.

Полевой транзистор, так же как и биполярный, может быть использован в качестве эквивалентного ключа для коммутации цепей различного назначения. Ключи, выполненные на полевом транзисторе с изолированным затвором, нашли применение в импульсных и цифровых устройствах.

При отсутствии напряжения на затворе транзистор заперт, при подаче напряжения U ЗИ – МДП-транзистор открыт.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-11-16; Просмотров: 719; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.