Статические характеристики транзистора

ЛЕКЦИЯ 7: Статические характеристики, параметры, температурные свойства БТ.

Входной характеристикой транзистора называется зависимость величины входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении: I_вх = f(U_вх) | U_вых = const.

Выходной характеристикой транзистора называется зависимость величины выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе: I_вых = f(U_вых) | I_вх = const.

Входные характеристики аналогичны характеристикам прямовключённого PN -перехода. При возрастании входного напряжения входной ток резко растёт после компенсации запирающего слоя. При увеличении напряжения на коллекторе ток эмиттера возрастает, а ток базы уменьшается(с расширением коллекторного перехода база сужается).

Схема с ОБ. Для схемы с ОБ входные характеристики: I_э = f(U_эб) | U_кб = const (рисунок 1.28,а), выходные характеристики: I_к = f(U_кб) | I_э = const (рисунок 1.28,б).

Рисунок 1.28. Статические входные (а) и выходные (б) характеристики БТ в схеме с ОБ

Схема с ОЭ. Входные характеристики транзистора с ОЭ (рисунок 1.29,а) – это зависимость: I_б = f(U_бэ) | U_кэ = const, выходные характеристики транзистора с ОЭ (рисунок1. 29,б) – это зависимость: I_к = f(U_кэ) | I_б = const.

Рисунок 1.29. Статические входные (а) и выходные (б) характеристики БТ в схеме с ОЭ

Выходные характеристики аналогичны характеристикам обратно включённого PN -перехода. При возрастании выходного напряжения выходной ток изменяется незначительно (режим насыщения), так как обусловлен ННЗ, перешедшими из базовой области. При увеличении входного тока пропорционально возрастает и выходной ток,

так как I_э = I_б + I_к.

Обратите внимание на то, что выходные характеристики транзистора с ОЭ в линейной части имеют больший наклон, чем характеристика того же транзистора, включенного с ОБ.

Обратный ток коллектор-эмиттер I_кэ0 – ток, измеряемый при разомкнутом выводе базы, т. е. при I_б = 0, превосходит по величине в β раз I_кб0. Коллекторный ток в схеме с ОЭ: I_к = I_кэ0 + β×I_б.

Статические характеристики для схемы с ОК имеют вид характеристик для схемы с ОЭ, так как I_к ≈ I_э.

Положение выходных характеристик транзистора зависит от температуры: I_кб0 и I_кэ0 увеличиваются с увеличением температуры. Но так как I_кэ0 ≈ β×I_кб0, то сдвиг характеристик при увеличении температуры в схеме с ОЭ получается значительно большим, чем в схеме с ОБ, которым можно пренебречь.

Выводы. 1. Изменение температуры окружающей среды влияют на статические характеристики транзистора: на входные- за счет изменения количества носителей заряда в P - и N – областях, на выходные – из-за изменения величины обратного рока коллектора.(рисунки 1.30,а и 1.30, б). 2. Эмиттерная характеристика сдвигается примерно на 2 мВ на . Соответствующий сдвиг получает и базовая характеристика 3. Коллекторные характеристики в схеме c ОЭ на много сильнее подвержены влиянию температуры, чем в схеме с ОБ.

а б

Рисунок 1.30. Влияние температуры на выходные характеристики в схеме с ОБ (а) и в схеме с ОЭ (б)

Дата добавления: 2014-11-16