Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Методика эксперимента




Суть метода определения параметров неосвоенных носителей заряда состоит в создании тем или иным способом локальной избыточной концентрации неосвоенных носителей в образце полупроводника и в исследовании их движения с помощью коллекторного зонда, расположенного на некотором расстоянии от места введения неосновных носителей.

В данной работе локальная избыточная концентрация дырок в образ­це германия n — типа создается путем фотоинжекции в результате ос­вещения небольшого участка образца. Измерительная схема представ­лена на рис. 3.3.

Тонкий образец n — Ge, к торцам которого припаяны оловом два проводника, укрепляется в кристаллодержателе. К образцу прижимается коллекторный зонд из фосфористой бронзы или вольфрама (такой зонд образует выпрямляющий контакт с германием и может улавливать не­основные носители, появляющиеся вблизи него). Для;лучшего собира­ния неосновных носителей с помощью батареи Б1 на зонд подается небольшое (1-2 В) обратное смещение. Генерация неосновных носите­лей производится световым зондом - узкой полоской сфокусированного с помощью микроскопа света от источника S. Световой зонд должен иметь вид полоски, параллельной торцам образца. Модулятор М пред­назначен для модуляции светового потока.

Рисунок 3.3 − Измерительная схема: / — генератор прямоугольных импульсов, 2 — осциллограф, 3 — вольтметр для измерения переменного напряжения, V, — импульсный вольтметр, V2— вольтметр для измерения постоянного на­пряжения, s\ —* батарейный источник (1 -2 6), Б$ — батарейный источник (2-3 В), Mi — магазин сопротивлений, М - модулятор




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-11-20; Просмотров: 415; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.