Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Принцип роботи сенсору електроліт-ізолятор-напівпровідник (ЕІS). Як підняти чутливість цього сенсору?




Електроліт-діелектрик-напівпровідник (EIS) – це МДН-структура де металевий затворний електрод замінено на шар сенсору, який знаходиться у безпосередньому контакті аналізом та електрод порівняння.

 

Рисунок 1 - Принципи детектування в EIS.

Рисунок 2 - Типова поведінка C-V кривих для різних концентрацій H+ іонів. При збільшенні концентрації (pH) розчину криві зміщені по напрузі до більших значень.

 

Вимірюють ВФХ структури. Якщо в цій системі атоми газу можуть проходити крізь напівпрозору для них мембрану до інтерфейсу

електроліт/робочий електрод, то потенціал електрода і, відповідно, товщина області збіднення змінюються. Це веде до зсуву ВАХ уздовж осі напруг (рис. 3.17). Величина зсуву залежить від типу та концентрації газу, як і для звичайної GasFET-структури (див. формулу (3.8)).

Концентрацію аналізу або склад можна визначити проводячи виміри у режимах ємність/напруга або постійна ємність. Розподіл носіїв заряду на границі діелектрик-напівпровідник контролюється зовнішнім джерелом постійної напруги на відміну від електрода, джерело змінної напруги використовується для вимірювання ємності шару об’ємного заряду.

Схема напівпровідник-ізорятор конденсатовів

А- планарний, b – структурований, с – пористий

Виміри для EIS в режимі постійної ємності.

 

Для приладів по виміру pH завдяки кращому pH-відгуку, гістерезисних та дрейфових характеристик в порівнянні з SiO2 використовують Al2O3, Si3N4 та Ta2O5. Si3N4 – стійкий до багатьох хімікатів. Для Al2O3 та Ta2O5 чутливість досягає 55-57 мВ / рН і 56-58mV/pH, відповідно, час відгуку <1 хв і вимірюваної діапазон рН 2-12 для обох матеріалів; дрейф <1 мВ / день і <2 мВ / день, відповідно, стабільності більше, трьох і одного року, відповідно

 

21. Газові сенсори на основі методу вібруючого електроду (метод зонду Кельвіна).

робота газових сенсорів на польовому ефекті базується на зміні роботи виходу металу. Широко застосовуваним методом визначення роботи виходу є так званий метод зонду Кельвіна,

 

На кварцовому п'єзокристалі чи осерді електромагніта знаходиться пластина зразка, роботу виходу носіїв заряду якого треба вимірювати. Коливання пластини викликає відповідне коливання ємності в повітряному зазорі між пластиною та електродом порівняння (d = 10–100 мкм) таким чином, що виникає змінний струм і в колі. Величина цього струму залежить від різниці потенціалів V D у зазорі

 

Даний метод можна використовувати в сенсорапх, з Барєром Шоткі. Детальнішу інформацію можна прочитати в книжці на ст. 83 або в презентаціях 5_6 на ст 44.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-01-03; Просмотров: 390; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.