КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Схемотехніка кіл зміщення визначається будовою польового транзистора (надалі ПТ)
1. Польові транзистори з p-n переходом в залежності від типу каналу.
Для ПТ з каналом р-типу напруга на заслоні повинна бути “+”, щоб перехід заслін-канал був закритий (для каналу n-типу має бути “-“).
Найчастіше при включенні ПТ для подачі Eзм використовують автоматичне зміщення. Струм стікання Iстік =0, оскільки перехід закритий.
URзм. = Eзм0 = URстік. + Uв.з.
Напруга на Rзм. буде запиральною для переходу заслин-витык.
Польові транзистори з ізольованим заслоном (МОН або МДН- транзистори).
2. ПТ з вбудованим каналом.
Якщо на заслін подати “-“, то основні носії -- електрони, будуть витікати з “n”-каналу. При Eз.в. канал буде збіднений (Rà¥).
Для цього типу транзистора використовують автоматичне зміщення, аналогічне до попереднього випадку.
3. ПТ з індукованим каналом.
При Eв.с.=0 та Eзм.=0 між витоком та стоком струм відсутній, оскільки, між ними знаходиться два p-n переходи (один з них в будь-якому випадку буде закритим). Це перехід можна буде відкрити, якщо в під затворній області створити високу концентрацію з n-носіїв, для цього на заслін потрібно подати напругу із знаком “+”. При цьому електрони перемістяться з підложки в область під затвором і створять індукований канал, через який і почнеться рух електронів.
При використанні ПТ з індукованим каналом, для подачі зміщення, використовують звичайний подільник напруги.
Тут Rс для ПТ є аналогом Rк для біполярних транзисторів, а Rв. – аналог Rе.
Розрахунки для ПТ аналогічні розрахункам для біполярних транзисторів, при IЗ0=0. Причому Rд1, та Rд2 вибирають з розрахунку економічності та малого впливу на вхідний опір RВх.
Eзм0 = Uз.в.0 + URв.
Uз.в.0 – знаходять за статичним вольт-амперними характеристиками, при вибраному Iс.0. URв – задають аналогічно URе..
Дата добавления: 2014-12-25; Просмотров: 363; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |