Односторонние ограничители без смещения

Краткие сведения о характеристиках полупроводниковых диодов

Схематическое изображение диода приведено на рис. 2.2.

где I_д, Uд – соответственно ток через диод и напряжение на диоде (точнее, напряжение на p – n – переходе); I_д0 – тепловой ток перехода, зависящий от температуры и свойств материалов,

образующих переход; – температурный потенциал (T₀ – абсолютная температура в

кельвинах, 0 q₀ – заряд электрона, k – постоянная Больцмана).

Для разных типов диодов Uпр.нас(напряжение насыщения) будет разным. Для

кремниевых диодов (Si) U пр.нас 0.7 В, для германиевых (Ge) – U пр.нас 0.3 В.

Параллельные диодные ограничители. Схема диодного ограничителя снизу, а также

временные диаграммы, иллюстрирующие его работу, приведены на рис. 2.4 а, б.

Как видно из рис. 2.4 б, при положительной полуволне входного напряжения диод

закрыт, и потому в этот полупериод входное колебание равно выходному. Когда же наступает отрицательная полуволна входного напряжения, диод открыт, максимум выходного напряжения данной цепочки в этот полупериод будет равным Uпр.нас диода VD 1.

Последовательные диодные ограничители. На рис. 2.5 а, б изображены

последовательный диодный ограничитель, а также временные диаграммы, иллюстрирующие его работу.

Дата добавления: 2015-03-29