Температурная зависимость концентрации носителей заряда в примесных полупроводниках

Рисунок 6 Зависимость концентрации носителей заряда легированного полупроводника

от температуры.

Степени легирования подчиняются неравенству:

.

На участке 1 – 2 концентрация носителей заряда растёт за счёт примеси – участок работы примеси.

2 – 3 область истощения примеси, когда она отдала все свои электроны.

3 – 4 участок собственной проводимости полупроводника, концентрация носителей заряда растёт за счёт атомов полупроводника.

В сильно легированных полупроводниках область истощения примеси не присутствует на графике. По достижении определённой температуры прирост концентрации будет происходить интенсивнее за счёт самого полупроводника.

На участке работы примеси угол наклона прямой определяется энергией, необходимой для перехода с примесного уровня в зону проводимости.

На участке 3 – 4 угол наклона будет определяться шириной запрещённой зоны.

Таком образом:

• даже сильно легированные полупроводники при определённой температуре начинают вести себя как собственные;
• все полупроводники, используемые в электронных приборах, за исключением вырожденных, работают на участке эксплуатационных температур .

Дата добавления: 2015-05-06