Порядок выполнения работы. Схема исследования статических характеристик: полевого транзистора с управляющим p-n-переходом представлена на рис

Схемы исследования

Схема исследования статических характеристик: полевого транзистора с управляющим p-n-переходом представлена на рис. 1.8, а МДП–транзистора с индуцированным каналом - на рис. 1.9.

Рис. 1.8. Схема исследования статических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим p-n-переходом

и каналом p-типа

Рис. 1.9. Схема исследования статических характеристик МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащенным) каналом p-типа

Напряжения питания подаются с гнезд источников стабилизированных напряжений: Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляются с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

3.1. На тестере ММ-1 установить переключатель РРП в положение (⁰С). Включить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки on/off. Определить температуру окружающей среды Токр. ср., считав показания тестера, и полученный результат занести во все ниже следующие таблицы. Выключить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки on/off.

3.2. Собрать схему, изображенную на рис. 1.8, используя тестеры ММ-1, ММ-2 и ММ-3, а в качестве исследуемого объекта полевой транзистор 2П103Б. Убедиться, что регулировки R9 и R10 источников питания Е-1 и Е-2 находятся в крайних левых положениях. Переключатель РРП тестера ММ-1 установить в секторе V= на предел измерения 20 В. Переключатель РРП тестера ММ-2 установить в секторе A= на предел измерения 20 mA, а его красный щуп установить в красное гнездо mА. Переключатель РРП тестера ММ-3 установить в секторе V= на предел измерения 20 B. Убедиться, что расположенные на монтажном шасси переключатель П3 находится в положение «Полевой транзистор 2П103Б», а регулировки R12 и R13 находятся в крайних левых положениях. Предъявить собранную схему преподавателю для проверки. После проверки схемы преподавателем включить тестеры ММ-1, ММ-2 и ММ-3 нажатием красных кнопок (on/off) и включить источники питания Е-1 и Е-2 нажатием кнопки POWER.

Исследовать статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа при комнатной температуре, т.е. исследовать зависимость Iс = ƒ(Uзи, Uси).

Вращая регулятор R9 источника питания Е-1 по часовой стрелке, установить на его цифровом табло величину напряжения Uист 1 = 2,2 В. С помощью регулятора R12, расположенного на монтажном шасси, и тестера ММ-1 установить значение Uзи = 0.

Вращая регулятор R10 источника питания Е-2 по часовой стрелке, изменять напряжение Uси от 0 до –8 В с шагом –1 В, фиксируя его значения с помощью тестера ММ-3. При каждом значении Uси с помощью тестера ММ-2 фиксировать величину Iс и полученные результаты занести в табл. 1.1. Закончив измерения, установить регулятор R10 в крайнее левое положение.

Данную процедуру измерения Iс повторить для различных напряжений Uзи, которые, с помощью регулятора R12, расположенного на монтажном шасси, и тестера ММ-1, устанавливать в пределах от 0 до 1,2 В с шагом 0,2 В. Полученные результаты занести в табл. 1.1. Напряжение Uзи, при котором Iс = 0, называется напряжением отсечки - Uзи отс.

Закончив измерения, установить регулировки R9, R10 и R12 в крайнее левое положение, выключить источники питания Е-1, Е-2 и тестеры ММ-1, ММ-2 и ММ-3.

Таблица 1.1

Токр. ср (^0С)	Тип транзистора	Uси, В	Iс, mA
Uзи = 0	Uзи = 0,2 В	…	Uзи = 1,2 В
	2П103Б
-1
-2
…
-8

3.3. Собрать схему, изображенную на рис. 1.9, используя тестеры ММ-1, ММ-2 и ММ-3, а в качестве исследуемого объекта МДП-транзистор 2П301А.

Для этого достаточно:

· заменить полевой транзистор 2П103Б на МДП–транзистор 2П301А;

· убедиться, что регулировки R9 и R10 источников питания Е-1 и Е-2 находятся в крайних левых положениях;

· установить переключатель П3, расположенный на монтажном шасси, в положение «Полевой МДП–транзистор 2П301А», при этом произойдет коммутация полярности подключенного источника питания Е-1;

· убедиться, что регулировки R12 и R13, расположенные на монтажном шасси, находятся в крайнем левом положении.

Предъявить собранную схему преподавателю для проверки. После проверки схемы преподавателем включить тестеры ММ-1, ММ-2 и ММ-3 нажатием красных кнопок on/off и включить источники питания Е-1 и Е-2 нажатием кнопки POWER.

3.4. Вращая регулятор R9 источника питания Е-1 по часовой стрелке, установить на его цифровом табло величину напряжения Uист 1 = 12,5 В.

3.5. Определить пороговое напряжение Uзи пор. Пороговое напряжение МДП–транзистора – это такое напряжение на затворе транзистора, при котором появляется ток стока Iс. Для определения Uзи пор необходимо с помощью регулятора R10 источника питания Е-2 и тестера ММ-3 установить напряжение Uси = -7 В. Далее, вращая регулятор R13 по часовой стрелке, установить на цифровом табло тестера ММ-2 величину Iс = 0,02 mA. После этого снять показание тестера ММ-1, которое представляет собой величину Uзи пор исследуемого МДП–транзистора. Полученный результат занести в табл. 1.2, а регулятор R10 источника питания Е-2 установить в крайнее левое положение.

3.6. Исследовать статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа при комнатной температуре, т.е. исследовать зависимость Iс = ƒ(Uзи, Uси).

С помощью регулятора R13 и тестера ММ-1 установить напряжение на затворе исследуемого МДП–транзистора Uзи = Uзи пор. Вращая регулятор R10 источника питания Е-2 по часовой стрелке, изменять напряжение Uси от 0 до –8 В с шагом –1 В, фиксируя его значения с помощью тестера ММ-3. При каждом значении Uси с помощью тестера ММ-2 фиксировать величину Iс и полученные результаты занести в табл. 1.2. Закончив измерения, установить регулятор R10 в крайнее левое положение.

Данную процедуру измерения Iс повторить для различных напряжений Uзи, которые, с помощью регулятора R13, расположенного на монтажном шасси, и тестера ММ-1, устанавливать в пределах:

· от Uзи пор до (| Uзи пор | + 3,0 В) с шагом 0,5 В. Полученные результаты занести в табл. 1.2.

Таблица 1.2

Токр. ср (^0С)	Тип транзистора	Uси, В	Iс, mA
Uзи = Uзи пор	Uзи = | Uзи пор | + 0,5 В	…	Uзи = | Uзи пор | + 3,0 В
	2П301А   Uзи пор =
-1
-2
…
-8

Закончив измерения, установить регуляторы R9, R10, R12 и R13 в крайнее левое положение, выключить источники питания Е-1, Е-2 и тестеры ММ-1, ММ-2 и ММ-3.

Дата добавления: 2015-05-06