При низких температурах теплоёмкость твёрдого тела зависит от температуры по закону

*A) , т.к. новые моды упругих колебаний оказываются возбуждёнными;

155. При высоких температурах теплопроводность твердого тела зависит от температуры по закону...

*C) , т.к. энергия колебаний ~ T, а количество возбуждённых мод не меняется;

156. Между свободной и валентной зонами находится запрещённая зона шириной =1,1 эВ. Валентная зона при заполнена на половину. Кристалл является...

*A) проводником;

157. Между свободной и валентной зонами находится запрещённая зона шириной = 5 эВ. Валентная зона при заполнена полностью. Кристалл является...

*C) изолятором;

158. В одновалентных металлах валентная зона заполнена …

*А) наполовину;

159. Теплоёмкость электронного газа в металлах …

*В) С~Т, т.к. средняя энергия теплового движения электронов в металле ;

160. Отношение теплоёмкости вырожденного электронного газа и теплоёмкости не вырожденного классического газа равно:

*А) ;

161. Отношение электронной и решеточной теплоёмкостей для твёрдого тела при высоких температурах составляет …

*С) ;

162. В собственном полупроводнике проводимость обусловлена переходом электронов

*C) из валентной зоны в зону проводимости;

163. Носителями тока в собственном полупроводнике являются …

*A) электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне;

164. Для невырожденного полупроводника функция распределения электронов по энергиям в зоне проводимости имеет вид…

*А) ;

165. Для электронов в зоне проводимости невырожденного полупроводника следует применить распределение …

Укажите все возможные варианты.

*B) Ферми-Дирака; *C) Максвелла

166. Химический потенциал собственного полупроводника при Т=0 находится

*B) в середине запрещенной зоны;

167. Концентрация электронов собственного полупроводника зависит от температуры следующим образом …

*А) ;

168. Концентрация дырок в валентной зоне собственного полупроводника зависит от температуры следующим образом:

*А) ;

169. Формула представляет собой зависимость химического потенциала от температуры для...

*A) собственного полупроводника; (примесного полупроводника n-типа?)

170. Концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника возрастает с повышением Т за счёт перехода электронов

*B) из валентной зоны в зону проводимости;

171. Ширина запрещённой зоны германия эВ. Отсчет энергии от дна зоны проводимости. Химический потенциал при Т= 0 равен... эВ. Округлить до сотых.

Ответ: - 0,37

172. При увеличении температуры основная причина роста электропроводности собственного полупроводника …

*А) увеличение концентрации носителей тока;

173. Для получения полупроводника n -типа подбирают пятивалентную примесь, донорный уровень которой находится...

*В) в запрещённой зоне вблизи дна зоны проводимости;

174. Концентрация электронов в зоне проводимости примесного проводника n -типа в области низких температур увеличивается за счёт перехода электронов …

*С) с донорного уровня в зону проводимости;

175. Для получения полупроводника p -типа подбирают трехвалентную примесь, акцепторный уровень которой находится …

*С) в запрещённой зоне вблизи потока валентной зоны;

176. Концентрация дырок в валентной зоне полупроводника p -типа в области низких температур увеличивается за счёт перехода электронов …

*С) из валентной зоны на акцепторный уровень; (в зону проводимости?)

177. Формула для концентрации электронов в зоне проводимости полупроводника n-типа имеет вид...

*A) ;

(!) 178. На рисунке представлены распределения Ферми-Дирака по состояниям для двух систем частиц; , . Отношение масс частиц =... (Ответ: 2)

< n >

ε

(!) 179. На рисунке представлены распределения Ферми-Дирака по состояниям для двух систем частиц; , . Отношение концентраций ... (Ответ: 8)

<n>

ε

(!) 180. На рисунке представлены распределения Ферми-Дирак а по энергиям для двух систем частиц; , . Отношение концентраций (Ответ: 8)

F

ε

(!) 181. На рисунке представлены распределения Ферми-Дирака по энергиям для двух систем частиц; , . Отношение концентраций = (Ответ: 2)

F

ε

(!) 182. Энергия Ферми металла эВ, квазиимпульс электронов при этой энергии кг·м/c. Масса свободного электрона кг, эффективная масса электрона . Отношение равно... Ответ округлить до целых.

Ответ: 3

(!) 183. Энергия Ферми металла эВ. Эффективная масса электронов . Максимальная скорость электронов при Т=0 равна … км/с. Ответ округлить до сотен.

Ответ: 1900

(!) 184. Энергия Ферми металла эВ. Эффективная масса электронов . Средняя скорость электронов при Т=0 равна … км/с. Ответ округлить до сотен.

Ответ: 1300

(!) 185. Энергия Ферми для меди , для цинка . Эффективная масса электронов . Отношение концентраций свободных электронов n₂/n₁ равно …. Ответ округлить до целых.

Ответ: 2

(!) 186. Энергия Ферми для меди . Средняя скорость электронов при Т=0 равна …. Ответ округлить до десятых.

Ответ: 4,2 - запятая

(!) 187. Средняя скорость электронов в калии при Т=0 равна 1,2эВ. Эффективная масса . Средняя скорость электронов при Т=0 равна … км/с. Ответ округлить до сотен.

Ответ: 600

(!) 188. Импульс, соответствующий энергии Ферми Масса электрона . Средняя энергия электронов равна … эВ. Ответ округлить до целых.

Ответ: 6

(!) 189. Если абсолютную температуру абсолютно черного тела увеличить в n=2 раза, его энергетическая светимость увеличивается в k раз.

Ответ: 8

(!) 190. Максимум спектральной энергетической светимости излучения Солнца находится при мкм. Постоянная в законе смещения Вина b = Температура на поверхности Солнца приблизительности равна … К.

Ответ: 5800

(!) 191. Температура абсолютного черного тела равна Т= К. Постоянная в законе смещения Вина в =

Максимум спектральной плотности излучения находится при частоте

*А)

(!) 192. Среднее время пролета валентного электрон а в поле действия ядра в кристалле Ширина валентной зоны . Постоянная Планка . Ответ округлить до десятых.

Ответ: 1,6 – запятая.

(!) 193. В кристаллическом натрии электрон в состоянии 1S находится в поле действия ядра в среднем Ширина соответствующей уровню 1S энергетической зоны равна …. .

*В)

(!) 194. Ширина разрешенной энергетической зоны в одновалентном кристалле имеется N= атомов. Расстояние между соседними подуровнями в зоне равно

* В)

(!) 195. Ширина запрещенной зоны в кремнии =1,1 эВ. Если температуру увеличить от =300К до =400К, концентрация электронов в зоне проводимости увеличится в … раз. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/K. Ответ округлить до сотен.

Ответ: 300

(!) 196. Ширина запрещенной зоны в кремнии =1,1 эВ. Если температуру увеличить от =300К до =400К, концентрация дырок в валентной зоне увеличится в … раз. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/K. Ответ округлить до сотен.

Ответ: 300

(!) 197. Температура полупроводника постоянна и меньше температуры истощения примеси. Если концентрацию донорной примеси увеличить в 16 раз, концентрация электронов в зоне проводимости увеличится в … раз.

Ответ: 4

(!) 198. Температура примесного полупроводника постоянна и выше температуры истощения примеси. Если концентрацию донорной примеси увеличить в 8 раз, концентрация электронов в зоне проводимости увеличится в … раз.

Ответ: 8

199. Донорный уровень фосфора ниже дна зоны проводимости на =0,013 эВ в германии. Концентрация электронов в зоне проводимости в кремнии n1 в германии-n2. При Т=10К n2/n1= , где x равно …. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/K. Ответ округлить до целых.

Ответ: 19

200. Ширина запрещенной зоны для германи я , для кремния =1,1 эВ. Концентрация электронов в зоне проводимости для германия n1, для кремния n2. При Т=300К отношение n1/n2 равно …. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/К. Ответ округлить до десятков.

Ответ: 1070

(!) 201. При Т=0 химический потенциал собственного полупроводника запрещенной зоны рана … эВ.

Ответ: 1

(!) 202. При Т=0 химический потенциал полупроводника n-типа =-0,005 эВ. Донорный уровень расположен ниже дна зоны проводимости на … эВ.

Ответ: 0,01 – запятая.

(!) 203. Из приведенных величин: m –масса газа, S – энтропия, Т –температура, V –объем, Ω -статистический вес, n –концентрация частиц, p –давление - аддитивными являются:

Ответ: m, S, V.

(!) 204. Изменение энтропии при переходе из состояния (1) в состояние (2):

Ответ:

(!) 205. Вероятность Р наступления любого из двух независимых событий А или В равна:

Ответ: сумме вероятностей Р(А)+Р(В)

(!) 206. Вероятность Р одновременного наблюдения 2-х независимых событий А и В равна:

Ответ: произведению вероятностей Р(А)•Р(В)

(!) 207. Неправильным утверждением является. Вероятность случайного события Р:

Ответ: Р изменяется от 0 до ∞

(!) 208. Изменение энтропии при плавлении льда (m-масса, λ -удельная теплота плавления) равно:

Ответ:

(!) 209. Статический вес системы:

Ответ: зависит от числа частиц системы.

(!) 210. При конденсации пара энтропия системы:

Ответ: уменьшается

(!) 211. Вероятность достоверного события равна … Ответ: 1

(!) 212. Вероятность невозможного события равна… Ответ: 0

(!) 213. Реальные процессы в изолированных системах протекают:

Ответ: в направлении увеличения хаотичности движения частиц в системе

(!) 214. Второе начало термодинамики утверждает, что в замкнутой системе:

Ответ: ΔS≥0

(!) 215. Изменение энтропии при изотермическом квазиравновесном процессе 1-2:

Ответ: ΔS₁₂ = 0

(!) 216. Термодинамическая система находится в равновесном состоянии, если:

Ответ:

217. В замкнутой системе энтропия может меняться со временем, как показано на участках:

Ответ: 1-2-3

(!) 218. В равновесной системе

Ответ: 0

(!) 219. Для равновесия двух подсистем замкнутой системы достаточно, чтобы у них были равны только:

Ответ:

(!) 220. Изменение энтропии и для процессов, изображенных на P-T диаграмме:

Ответ:

(!) 221. - соответственно: статистический вес, энтропия, вероятность – связаны следующим соотношением:

Ответ:

(!) 222. Необходимым и достаточным условием равновесного состояния системы является:

Ответ: замкнутость системы и стационарность макропараметров

(!) 223. Число доступных микросостояний в некотором фазовом объеме ΔГ:

Ответ: бесконечно для классической частицы, т.к. в каждый момент времени объем, который в фазовом пространстве определяет ее состояние, стремится к нулю

(!) 224. Число возможных состояний системы из N =100 квантовых частиц (электронов) в конечном элементе объема равно:

Ответ:

(!) 225. Точка в фазовом пространстве для системы из N частиц характеризует:

Ответ: микросостояние системы

(!) 226. Найдите неправильное утверждение. Фазовое пространство для N независимых частиц можно:

Ответ: представить как 3N-мерный интеграл, где q_i={x_i y_i z_i}, p_i={p_xi p_yi p_zi}

(!) 227. Газ из состояния (1) переходит в состояние (2) в одном случае по прямой 1-2, а в другом – по линии 1-3-4-2. При этом изменение энтропии:

Ответ:

(!) 228. если:

Ответ: нет правильного ответа

(!) 229. если:

Ответ: S=const

(!) 230. Энтропия неизолированной системы при необратимом теплообмене:

Ответ: может как и увеличиваться, так и уменьшаться в зависимости от условий

(!) 231. У изолированной системы, находящейся в равновесном состоянии:

Ответ:

(!) 232. При стремлении изолированной системы к равновесному состоянию:

Ответ:

(!) 233. Число доступных состояний в элементе фазового пространства для классической частицы:

Ответ: → ∞

(!) 234. Для циклического процесса, изображенного на рис:

Ответ:

235. На рисунке приведены графики изохоры, изобары, изотермы, адиабаты. Правильные названия графиков:

Ответ: 1-адиабата, 2-изохора, 3-изобара, 4-изотерма

(!) 236. В термодинамической системе при необратимом процесс е:

Ответ:

(!) 237. Изменение энтропии идеального газа в результате адиабатного расширения:

Ответ: для однозначного ответа необходимо знать, квазиравновесный процесс или нет

(!) 238. Если F(х) – плотность вероятности случайной величины х, то F(x)dx:

Ответы:

- равно dP(x)

- равно вероятности встретить случайную величину x в интервале от x до x+dx

- принимает значения больше 0, но меньше единицы.

(!) 239. В замкнутой системе при необратимых процессах, если N=const:

Ответ: dE<TdS-pdV

(!) 240. Если х - случайная физическая величина, принимающая ряд дискретных значений х₁,х₂, … х_n, а Р_i – вероятность появления х_i, то < x² > равно:

Ответ:

(!) 241. Изображенный циклический процесс:

Ответ: необратимый, квазиравновесный

242. Уравнение состояния идеального газа имеет вид:

Ответы:

+ ,

+ ,

+ ,

+

(!) 243. Фазовая траектория для системы из N частиц показывает:

Ответ: изменение микросостояния системы

(!) 244. Размерность статистического веса:

Ответ: безразмерная величина

(!) 245. Изолированный сосуд разделен перегородкой на две половины. В одной находится газ, другая пустая. Перегородку убирают и дожидаются установления равновесия. При этом в системе:

Ответ: энтропия увеличивается, а средняя энергия каждой частицы не изменяется

(!) 246. Запишите формулу для плотности состояний, используя шаблон

Ответ: a1b2

247. Запишите формулу для температуры Дебая по шаблону

a

b

c .

Ответ:

(!) 248. Запишите формулу, определяющую количество квантовых состояний для квазисвободных частиц, находящихся в объеме V и обладающих импульсами в интервале , используя шаблон

a

b .

Ответ:

(!) 249. Для N квантовых частиц объем минимальной фазовой ячейки, приходящейся на одно квантовое микросостояние системы, ΔГ_min равен:

Ответ: ;

(!) 250. Пучок электронов дает дифракционную картину от кристалла. Если на кристалл длительное время пускать электроны поочередно, то дифракционная картина:

Ответ: получится точно такой же, если число электронов в обоих экспериментах будет одинаково

(!) 251. Запишите функцию распределения по состояниям для электронов в металле, используя шаблон

a { };

b { };

@={+; -; /}.

Ответ:

(!) 252. Основное термодинамическое равенство имеет вид dE=... -pdV+МЮdN

Ответ: TdS

(!) 253. Запишите формулу для количества квантовых состояний, соответствующих интервалу и объему V, используя шаблон

a

b

c .

Ответ:

(!) 254. Если F(x) – плотность вероятности или функция распределения случайной величины х, то выражение

Ответ: 1

(!) 255. Запишите формулу для количества квантовых состояний, соответствующих интервалу модуля скорости и объему V, используя шаблон

a

b

c .

Ответ:

(!) 256. Запишите формулу для фазового объема, соответствующего интервалу и объему V, используя шаблон

a

b

Ответ:

(!) 257. Запишите формулу для количества квантовых состояний, соответствующих интервалу и объему V, используя шаблон

a

b

Ответ:

(!) 258. Запишите формулу для среднего количества фермионов в одном квантовом состоянии при заданной энергии ε, используя шаблон

a { };

b { };

@= { +; -; / }.

Ответ:

(!) 259. Запишите формулу для распределения Ферми-Дирака по состояниям, используя шаблон

a { };

b { };

@= { +; -; / }.

Ответ:

(!) 260. Запишите формулу для среднего количества бозонов в одном квантовом состоянии, используя шаблон

a { };

b { };

@= { +; -; / }.

Ответ:

(!) 261. Запишите формулу для распределения Бозе-Эйнштейна по состояниям, используя шаблон

a { };

b { };

@= { +;-;/ }.

Ответ:

(!) 262. Запишите формулу для фазового объема, соответствующего интервалу модуля скорости и объему V, используя шаблон

a

b

c .

Ответ: c2

(!) 263. Запишите формулу для фазового объема, соответствующего интервалу и объему V, используя шаблон

a

b

Ответ:

(!) 264. Запишите формулу для плотности состояний, используя шаблон

a

b .

c .

Ответ:

(!) 265. Запишите формулу для количества квантовых состояний d в фазовом объеме dГ, используя шаблон =

a { ; ; };

b { ; };

@={+; -; /}.

Ответ: a1b1/a3

(!) 266. Запишите формулу для плотности состояний, используя шаблон

a

b .

c .

Ответ:

(!) 267. Запишите формулу для плотности состояний в зависимости от модуля скорости, используя шаблон

a

b .

c .

Ответ:

(!) 268. Если х - случайная физическая величина, принимающая ряд дискретных значений х₁,х₂, … х_n, а Р_i – вероятность появления х_i, то

Ответ: 1

(!) 269. Теплоемкость общей массы идеального одноатомного газа V=const:

(!) 270. В равновесном состоянии с ростом числа частиц N, относительная флуктуация δ ∼ N^m, где m=…

Ответ: -0,5 – запятая.

Дата добавления: 2015-04-24