КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Концентрація носіїв заряду в акцепторному напівпровіднику та її температурна залежність
Нижча категорія Середня категорія Вища категорія Сингонії, параметри сингоній Білет 3 Синго́нія — група видів симетрії, що мають один або кілька однакових елементів симетрії та мають однакове розташування кристалографічних осей. Видом симетрії називають повну сукупність елементів симетрії кристала. У кристалографії налічують 32 класи симетрії, які згруповані у 7 сингоній. Групування базується на існуванні у кристалі певного мінералу осей симетрії — прямих, при обертанні навколо яких правильно повторюються однакові елементи обмеження та інші властивості кристалу. · Кубічна · найбільш симетричні кристали · присутня більш ніж одна вісь симетрії вищого порядку (L3 або L4) · обов'язкова присутність чотирьох осей третього порядку і, окрім того, або три взаємноперпендикулярні осі четвертого порядку, або три осі другого · максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою 3L44L36L29PC · приклади - кам'яна сіль (галіт), пірит, галеніт, флюорит тощо.
· Ромбічна · кілька осей другого порядку (L6) або кілька площин симетрії (Р) · максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою 3L23PC
· приклади - барит, топаз, марказит, антимоніт тощо · Моноклінна · одна вісь симетрії другого порядку (L2) або одна площина симетрії (Р) · максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою L2PC · приклади - ортоклаз, слюда, гіпс, піроксени тощо · Триклінна · найнесиметричніші кристали, які мають тільки центр симетрії (С) · приклади - плагіоклази, дистен, мідний купорос тощо
Можна стверджувати при Т прямуючому до 0 К рівень Фермі буде строго по середині забороненої зони. З підвищенням температури рівень Фермі буде зміщуватися до тієї зони де менша густина енергетичних станів. Оскільки ефективна маса електрона і дірки може бути однакова то вище викладені міркування є справедливі для вузько зонних напівпровідників тобто менше 1. Власний напівпровідник будемо позначати або (ф26) Рівноважна концентрація носіїв струму в напівпровіднику визначається двома параметрами температури. У реальних напівпровідниках (ф27) для прикладу можна взяти кремній при кімнатній температурі Т=1000 градусів і порівняємо його. При кімнатній температурі в менша на 11 порядків. Маючи значення концентрації носіїв заряду можна визначити експерементально і розрахунково ширину забороненої зони. Даний метод визначення забороненої зони є придатний для широкозонних напівпровідників.
Якщо ми маємо класичний напівпровідник, які є чотирьох валентні і в гратці сформовані ковалентним зв’язком всі чотири електрони є локалізовані між атомами. Це означає що вони зв’язані. Для того щоб розірвати зв’язок кремнію потрібно затратити енергію 2.1еВ це те саме що 46,12ккал/г*моль. За допомогою вільних електронів відбувається струмо перенесення. В таких кристалах існує сильна температурна залежність. (ф2) Для цих матеріалів є сильна залежність при Т=0К з підвищенням температури концентрація носіїв заряду різко зростає. Германій при кімнатній температурі:
(ф3)
Якщо знизу є буква і то це власний напівпровідник. Цікавішим є Фосфід Галію (ф4)
концентрація носіїв заряду на 10 порядків менша. Це означає що поділ твердих тіл діелектриків, напівпровідників та металів розмежовується електропровідністю. У металах електропровідність (ф5) набагато вища ніж в інших класах твердих тіл. Напівпровідниках чим нижча температура ним нижча питома електропровідність. У металах на оборот що зумовлено різними розсіюваннями носіїв заряду.
Дата добавления: 2015-05-08; Просмотров: 687; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |