Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Проводимость премиссных п/п-ов зависит от концентраций премисей




2)

1)

2)

1)

2)

2)

18(1,2)

17(1,2)

16(2)

11(2)

8(1,2)

7(2)

2(2)

Углеродистые качественные стали

Стали группы В

Стали группы Б

Стали группы Б подвергаются горячей обработке (ковке, штамповке и др.), поэтому необходимы данные по химическому составу, т. е. содержанию С, Mn, Si и др.

В группу В входят стали повышенного качества, которые поставляют с гарантированными механическими свойствами и гарантированным составом. В начале обозначения каждой марки таких сталей ставят букву В. Их применяют для сварных конструкций, в мостостроении, судостроении и т. д.

Углеродистые качественные стали имеют более высокие показатели качества, чем стали общего назначения, а также отличаются химическим составом. Их применяют для сварных конструкций, в машиностроении.

Литература:

1. Строительное материаловедение: Учеб. пособие для строит. спец. вузов / И. А. Рыбьев. – 2-е изд., испр. – М.: Высш. шк., 2004. – 701 с.; ил.

2. Строительные материалы / Под ред. В. Г. Микульского. М., 1996.

 

Билет 1

 

 

1) ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание электронов нагретой поверхностью. Еще до 1750 было известно, что вблизи нагретых твердых тел воздух теряет свое обычное свойство плохого проводника электричества. Однако причина этого явления оставалась неясной до 1880-х годов. В ряде опытов, проведенных в период 1882–1889, Ю.Эльстер и Г.Гейтель установили, что при пониженном давлении окружающего воздуха раскаленная добела металлическая поверхность приобретает положительный заряд. Об аналогичных наблюдениях упоминалось в патентной заявке Т.Эдисоном (1883); он ввел электрод в одну из своих первых ламп накаливания и обнаружил, что между ее нитью и электродом происходит перенос электрического заряда. Этот «эффект Эдисона», как его иногда называют, лег в основу британского патента (1905) Дж.Флеминга на «прибор для преобразования переменного тока в постоянный» – первую электронную лампу, открывшую век электроники. То, что данное явление связано с испусканием электронов (отрицательно заряженных частиц), продемонстрировал в 1890 Дж.Томсон.

 

Двойной потенциальный слой - Механизм установления равновесия потоков электронов и дырок приводит к появлению на границе перехода двойного электрического слоя, причем вблизи границы области возникает слой, обедненный электронами, а вблизи границы области - соответствующий слой, обедненный дырками. Таким образом, пограничные области оказываются обедненными основными носителями тока, что приводит к повышению электрического сопротивления этих областей. Область повышенного сопротивления на границе перехода принято называть запорным слоем.

 

2) КРИСТАДИН, генератор незатухающих электрических колебаний, возникающих в колебательном контуре, если к этому контуру присоединен кристаллический детектор (см.), а к последнему подведен постоянный ток от батареи. Действие кристадина обусловлено отрицательным сопротивлением, которым обладают некоторые детекторные пары (наиболее сильно— пара цинкит-сталь). Кристадин может быть использован: 1) как гетеродин при приеме незатухающих колебаний, 2) как усилитель.

Изобретатель кристадина—инженер О. В. Лосев. Кристадин сыграл известную роль в начале развития советского радиовещания и радиолюбительства. В настоящее время при наличии более совершенного прибора—электронной лампы, кристадин практического значения не имеет.

 

 

Билет 2

1) Возникновению электроники предшествовало изобретение радио. Поскольку радиопередатчики сразу же нашли применение (в первую очередь на кораблях и в военном деле), для них потребовалась элементная база, созданием и изучением которой и занялась электроника. Элементная база первого поколения была основана на электронных лампах. Соответственно получила развитие вакуумная электроника. Её развитию способствовало также изобретение телевидения и радаров, которые нашли широкое применение во время Второй мировой войны.

Но электронные лампы обладали существенными недостатками. Это прежде всего большие размеры и высокая потребляемая мощность (что было критичным для переносных устройств). Поэтому начала развиваться твердотельная электроника, а в качестве элементной базы стали применять диоды и транзисторы.

Дальнейшее развитие электроники связано с появлением компьютеров. Компьютеры, основанные на транзисторах, отличались большими размерами и потребляемой мощностью, а также низкой надежностью (из-за большого количества деталей). Для решения этих проблем начали применяться микросборки, а затем и микросхемы. Число элементов микросхем постепенно увеличивалось, стали появляться микропроцессоры. В настоящее время развитию электроники способствует также появление сотовой связи, а также различных беспроводных устройств, навигаторов, коммуникаторов, планшетов и т. п.

 

 

Билет 3

 

1) ТЕРМОКАТОД -. Катод электровакуумных и газоразрядных приборов, испускающий электроны при нагревании вследствие термоэлектронной эмиссии.

По способу нагревания термокатода электрическим током различают:

термокатоды прямого накала, нагреваемые проходящим через них электрическим током и термокатоды косвенного накала, или подогревные катоды, не связанные электрически с подогревателем, по которому проходит ток.

 

2) Наибольшее практическое применение находят неорганические кристаллические полупроводниковые материалы, которые по химическому составу разделяются на следующие основные группы.Элементарные полупроводники:

1. германий, кремний, углерод (алмаз и графит), бор, α-Sn (серое олово), теллур, селен

2. Соединения типа AIIIBV элементов III и V группы периодической системы имеют в основном кристаллическую структуру типа сфалерита

3. Соединения элементов VI группы (О, S, Se, Те) с элементами I—V групп периодической системы, а также с переходными металлами и РЗЭ

4. Тройные соединения типа AIIBIVCV2 кристаллизуются в основном в решётке халькопирита

5. Карбид кремния SiC — единственное химическое соединение, образуемое элементами IV группы

 

Билет 4

1) Ламповые диоды представляют собой радиолампу с двумя рабочими электродами, один из которых подогревается нитью накала. Благодаря этому, часть электронов покидает поверхность разогретого электрода (катода) и под действием электрического поля движется к другому электроду — аноду. Если же поле направлено в противоположную сторону, электрическое поле препятствует этим электронам и тока (практически) нет.

Применялся для усиления радио приемников и телесигналов.

 

2) Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от полевого транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки.

 

Билет 5

1) Электровакуумный трио́д, или просто трио́д, — электронная лампа, имеющая три электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), анод и одну управляющую сетку. Изобретён и запатентован в 1906 году американцем Ли де Форестом. Триоды были первыми устройствами, которые использовались для усиления электрических сигналов в начале XX века. Вольт-амперная характеристика триода имеет высокую линейность. Благодаря этому вакуумные триоды вносят минимальные нелинейные искажения в усиливаемый сигнал. Важнейшей характеристикой триода является анодно-сеточная (рис. 182, а). Она представляет собой график зависимости анод­ного тока от напряжения на сетке при неизменном напряжении на аноде лампы.

По вертикали отложена сила анодного тока при различных на­пряжениях на сетке, причем анодное напряжение поддерживается постоянным. С изменением сеточного напряжения от отрицатель­ного значения до нуля сила анодного тока возрастает от нуля до определенной величины. Вместе с тем, чем выше напряжение на ано­де, тем больше сила анодного тока при данном напряжении на сетке.

 

 

2) МОП-структура (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл — диэлектрик — полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми, или МОП-транзисторами. Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Достоинства:

1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении;

2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение;

3. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства МОП-интегральных схем.

 

 

Билет 6

 

1) Эдисон обнаружил, что если приложить к электроду положительное напряжение, то в вакууме между этим электродом и нитью протекает ток. Это явление лежит в осно­ве всех электронных ламп и всей электроники до транзисторного периода.

Первый электронный прибор — вакуумный фотоэлемент — был создан русским физиком, профессором Московского Университета А. Г. Столето­вым в 1888 году. Фотоэлемент Столетова полностью соответствовал сформулирован­ному позже определению электронного прибора, как прибора, в котором происходит взаимодействие электронов с электромагнитными волнами. Электромагнитные волны светового спектра выбивали из фотокатода поток электронов. Между фотокатодом и анодом с положительным зарядом возникал фототок. Этот процесс, проходящий в вакууме, позже использовался в различ­ных фотоэлектронных приборах.

Позже были сформированы три основные направления электроники, созданные в результате изобретений, имеющих значение научно-технических революций:

 

1. изобретения вакуумного триода в 1907 году;

2. изобретения транзистора в 1948 году;

3. изобретения лазера в 1960 году.

Каждое из этих изобретений стало базой создания соответствующих направлений в электронике: вакуумной, твердотельной и квантовой элек­троники.

Изделия вакуумной электроники представляют собой вакуумные (электровакуумные и газоразрядные) приборы, в которых взаимодействие эмитируемых катодом электронов происходит в вакууме в герметизируемом баллоне. Вакуумные приборы генерируют и принимают электромагнитные излучения в диапазоне от 10-2 до 1021 Гц.

 

2) Магнетрон — это мощная электронная лампа, генерирующая микроволны при взаимодействии потока электронов с магнитным полем.

Магнетроны могут работать на различных частотах от 0,5 до 100 ГГц, с мощностями от нескольких Вт до десятков кВт в непрерывном режиме, и от 10 Вт до 5 МВт в импульсном режиме при длительностях импульсов главным образом от долей до десятков микросекунд.

Магнетроны обладают высоким КПД (до 80 %).

Магнетроны бывают как неперестраиваемые, так и перестраиваемые в небольшом диапазоне частот (обычно менее 10 %). Для медленной перестройки частоты применяются механизмы, приводимые в движение рукой, для быстрой (до нескольких тысяч перестроек в секунду) — ротационные и вибрационные механизмы.

Магнетроны как генераторы сверхвысоких частот широко используются в современной радиолокационной технике.

 

 

Билет 7

1) Разработка тетрода и пентода – этап улучшения качественных характеристик электронных ламп.

Тетро́д — электронная лампа, имеющая 4 электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), 2 сетки (управляющую и экранирующую) и анод. Изобретён Вальтером Шоттки в 1919.

Пенто́д — вакуумная электронная лампа с экранирующей сеткой, в которой между экранирующей сеткой и анодом размещена третья (защитная или антидинатронная) сетка, подавляющая динатронный эффект. В 1906—1908 годах Ли де Форест изобрёл первую усилительную лампу

2)ПТШ -транзисторы. Истоки высокого быстродействия.

Полевой транзистор Шоттки способен усиливать и генерировать электромагнитные колебания. Благодаря более простой и совершенной технологии изготовления

ПТШ имеет меньший разброс электрических параметров. Ток в них течёт не через

р-n-переходы, а между омическими контактами однородной среде канала.

Благодаря этому ПТШ обладают более высокой линейностью передаточной

характеристики, у них нет шумов токораспределения, а плотность тока может

быть большой, следовательно, уровень их шумов меньше, отдаваемые мощности

больше.

 

 

Билет 9

1) Магнетроны – генераторы СВЧ диапазона.

Магнетрон — это мощная электронная лампа, генерирующая микроволны при взаимодействии потока электронов с магнитным полем.

Магнетроны могут работать на различных частотах от 0,5 до 100 ГГц, с мощностями от нескольких Вт до десятков кВт в непрерывном режиме, и от 10 Вт до 5 МВт в импульсном режиме при длительностях импульсов главным образом от долей до десятков микросекунд.

Магнетроны обладают высоким КПД (до 80 %).

Магнетроны бывают как неперестраиваемые, так и перестраиваемые в небольшом диапазоне частот (обычно менее 10 %). Магнетроны как генераторы сверхвысоких частот широко используются в современной радиолокационной технике.

Резонансный магнетрон состоит из:

1)Анодного блока

2)Резонатор

3)Колебательная система

4)Цилиндрический катод

5)Магниты

Используется в микроволновых печах, радарных устройствах…

 

2) Силовые полупроводниковые диоды, тиристоры, запираемые тиристоры.

Тиристор является силовым электронным не полностью управляемым ключом. Поэтому иногда в технической литературе его называют однооперационным тиристором, который может сигналом управления переводиться только в проводящее состояние, т.е. включаться. Для его выключения (при работе на постоянном токе) необходимо принимать специальные меры, обеспечивающие спадание прямого тока до нуля. Тиристорный ключ может проводить ток только в одном направлении, а в закрытом состоянии способен выдержать как прямое, так и обратное напряжение.

Запираемые тиристоры

Тиристоры являются наиболее мощ­ными электронными ключами, используемыми для коммутации вы­соковольтных и сильноточных (сильнотоковых) цепей. Но они имеют существен­ный недостаток — неполную управляемость. Это во многих случаях ограничивает и усложняет использование тиристоров. Для устранения этого недо­статка разработаны тиристоры, запираемые сигналом по управляющему электроду G. Такие тиристоры называют запираемыми или двухоперационными. Запираемые тири­сторы имеют четырехслойную р-п структуру, но в то же время обладают рядом существенных конструктивных особенностей, придающих им принципиально отличное от традиционных тиристоров — свойство полной управляемости. Однако блокировать большие обратные напряжения ЗапТиристод обычно не способен и часто соединяется со встречно-параллельно включенным диодом. Кроме того, для ЗТ характерны значительные падения прямого напряжения. Для выключения ЗТ необходимо по­дать в цепь управляющего электрода мощный импульс отрицатель­ного тока, но короткой длительности.

Запираемые тиристоры также имеют более низкие значения предельных напряжений и токов по сравнению с обыч­ными тиристорами

Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n -перехода.

 

Билет 10

1) Клистроны

Клистро́н — электровакуумный прибор, в котором преобразование постоянного потока электронов в переменный происходит путём модуляции скоростей электронов электрическим полем СВЧ (при пролёте их сквозь зазор объёмного резонатора) и последующей группировки электронов в сгустки (из-за разности их скоростей) в пространстве дрейфа, свободном от СВЧ поля.

Клистроны подразделяются на 2 класса: пролётные и отражательные.

В пролётном клистроне электроны последовательно пролетают сквозь зазоры объёмных резонаторов. В простейшем случае резонаторов 2: входной и выходной. Дальнейшим развитием пролётных клистронов являются каскадные многорезонаторные клистроны, которые имеют один или несколько промежуточных резонаторов, расположенных между входным и выходным резонаторами.

В отражательном клистроне используется один резонатор, через который электронный поток проходит дважды, отражаясь от специального электрода — отражателя.

Первые конструкции пролётных клистронов были предложены и осуществлены в 1938 Расселом Варианом и Сигуртом Варианом.

Отражательный клистрон был разработан в 1940 году Н. Д. Девятковым, Е. Н. Данильцевым, И. В. Пискуновым и независимо В. Ф. Коваленко.

Пролётные клистроны являются основой всех мощных СВЧ передатчиков когерентных радиосистем, где реализуется стабильность и спектральная чистота высокостабильных водородных стандартов частоты. В частности, в выходных каскадах самых мощных в мире радиолокаторов для исследования астероидов и комет.

Отражательные клистроны применяются в различной аппаратуре в качестве маломощных генераторов. Вследствие низкого КПД их не используют для получения больших мощностей и применяют в качестве гетеродинов СВЧ приемников, в измерительной аппаратуре и в маломощных передатчиках. Их основные преимущества заключаются в конструктивной простоте и наличии электронной перестройки частоты. Отражательные клистроны имеют высокую надежность и не требуют применения фокусирующей системы

 

2) Силовые биполярные, МОП-, SIT-, IGBT- транзисторы.

IGBT- трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Создан в начале 1980-х гг. Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.

МОП- Полевой транзистор— полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

SIT-транзисторы. Это разновидность полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (рис. 6.6., c). Рабочая частота SIT-транзисторов обычно не превышает 100 кГц при напряжении коммутируемых цепей до 1200 В и токах до 200 — 400 А.

 

Билет 11

1) Лампы бегущей волны.

Лампа бегущей волны (ЛБВ) — электровакуумный прибор, в котором для генерирования и/или усиления электромагнитных колебаний СВЧ используется взаимодействие бегущей электромагнитной волны и электронного потока, движущихся в одном направлении (в отличие от лампы обратной волны (ЛОВ))

Лампа бегущей волны была впервые создана Рудольфом Компфнером в 1943 году.

Подразделяются на два класса: типа О и типа М.

В приборах типа О происходит преобразование кинетической энергии электронов в энергию СВЧ поля в результате торможения электронов этим полем.

В приборах типа М в энергию СВЧ поля переходит потенциальная энергия электронов.

 

 

Билет 12

1) Электровакуумные приборы – технические средства различных областей деятельности человека.

Электровакуумный прибор — устройство, предназначенное для генерации, усиления и преобразования электромагнитной энергии, в котором рабочее пространство освобождено от воздуха и защищено от окружающей атмосферы непроницаемой оболочкой.

К таким приборам относят как вакуумные электронные приборы, в которых поток электронов проходит в вакууме (см., напр., клистрон), так и газоразрядные электронные приборы, в которых поток электронов проходит в газе. Так же к электровакуумным приборам относятся и лампы накаливания.

Электровакуумные приборы используются в радиотехнике, радио связи, телевидении.

 

2) Пленочные пассивные элементы. Планарная технология.

Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Особенность планарной технологии состоит в том, что после завершения каждой технологической операции, восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций. Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость.

Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии.

 

Билет 13

 

 

1) Главным недостатком электронных ламп было то, что устройства на их основе были довольно громоздкими. Для питания ламп необходимо было подводить дополнительную энергию для нагрева катода (именно он испускает электроны, необходимые для тока в лампе), а образованное ими тепло отводить. Например, в первых компьютерах использовались тысячи ламп, которые размещались в металлических шкафах и занимали много места. Весила такая машина десятки тонн. Для её работы требовалась электростанция. Для охлаждения машины использовали мощные вентиляторы в связи с выделением лампами огромного количества тепла.

 

2) Триггер (триггерная система) — класс электронных устройств, обладающих способностью длительно находиться в одном из двух устойчивых состояний и чередовать их под воздействием внешних сигналов. Каждое состояние триггера легко распознаётся по значению выходного напряжения. По характеру действия триггеры относятся к импульсным устройствам — их активные элементы (транзисторы, лампы) работают в ключевом режиме, а смена состояний длится очень короткое время.

 

Билет 14

 

 

1) Электроннолучевая трубка (ЭЛТ), обобщённое название рядаэлектроннолучевых приборов, предназначенных для различного рода преобразований электрических или световых сигналов. ЭЛТ, служащие для преобразования электрических сигналов в видимые изображения, в зависимости от их функционального назначения делятся на приёмные телевизионные трубки (кинескопы); осциллографические электроннолучевые трубки; знакопечатающие электроннолучевые трубки; индикаторные трубки, используемые в радиолокационных станциях (см. Индикатор); отображения информации устройства (в том числе трубки с памятью — потенциалоскопы) и др. Преобразование световых изображений в телевизионные сигналы осуществляетсяпередающими телевизионными трубками. Существуют ЭЛТ, в которых как входные, так и выходные сигналы представлены в форме электрических сигналов; в таких ЭЛТ выходные сигналы отражают тот или иной вид преобразования, производимого над входными: математическую обработку, задержку во времени, изменение порядка следования или частотного спектра и т. д.

 

 

2) Полупроводниковые материалы, вещества с четко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов

Получение. Необходимым условием достижения высоких электрофиз. характеристик полупроводниковые материалыявляется их глубокая очистка от посторонних примесей. В случае Ge и Si эта проблема решается путем синтеза их летучих соед. (хлоридов, гидридов) и последующей глубокой очистки этих соед. с применением методовректификации. сорбции. частичного гидролиза и спец. термич. обработок. Хлориды особой чистоты подвергают затем высокотемпературному восстановлению водородом, прошедшим предварит. глубокую очистку, с осаждениемвосстановленных продуктов на кремниевых или германиевых прутках. Из очищенных гидридов Ge и Si выделяют путем термич. разложения. В результате получают Ge и Si с суммарным содержанием остаточных электрически активных примесей на уровне 10-7-10-9%. Получение особо чистых полупроводниковых соед. осуществляют синтезом из элементов, прошедших глубокую очистку. Суммарное содержание остаточных примесей в исходных материалах не превышает обычно 10-4-10-5%. Синтез разлагающихся соед. проводят либо в запаянных кварцевых ампулах при контролируемом давлении паров летучего компонента в рабочем объеме, либо под слоем жидкого флюса (напр., особо чистого обезвоженного В2О3). Синтез соед., имеющих большое давление паров летучего компонента над расплавом, осуществляют в камерах высокого давления. Часто процесс синтеза совмещают с последующей дополнит. очисткой соед. путем направленной или зонной кристаллизации расплава.

 

Билет 15

 

1) Управляющее устройство (УУ), арифметико-логическое устройство (АЛУ) (входящие в состав микропроцессора), запоминающие устройства (ЗУ)

 

2) Интегра́льная (микро)схе́ма(ИС) -микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой пластине

 

СИС-средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле

ГИС-гибридные ИС-Они представляют собой диэлектрическую подложку

БИС-большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,

СБИС-сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле

 

При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии

 

Интегральная микросхема может обладать законченным, сколь угодно сложным, функционалом — вплоть до целого микрокомпьютера (однокристальный микрокомпьютер).

 

Билет 16

 

1) Катод испускает электроны, и они летят в сторону первого анода Av на который подается положительное относительно катода напряжение в несколько тысяч вольт. Поток электронов регулируется сеткой, отрицательное напряжение на которой определяется требуемой яркостью. Электронный луч проносится сквозь отверстие в центре первого анода, а также сквозь второй анод, на котором действует немного большее положительное напряжение, чем на первом аноде.

 

 

 

Билет 17

 

 

 

Билет 18

 

 

Область п/п расположенное близи метал.гранцницы называется электронно-дырычным переходом или p-n переходом

Металлическая граница – поверхность раздела, по которой контактирует p-n слоии.

Дрейф носители заряда п/п - это движ носителей за счет электрического поля

Диод – обладает односторонним проводимостью. Полупроводниковый диод содержит один p-n-переходов и имеет два вывода от p и n-областей

При малом изм.напр резское возростание тока это – Электрический пробой

· I – ток утечки

· II – участок эл.пробоя p-n перехода

· III – тепловой пробой

Тунельный диод – диод у которого сопротивление не зависит от полярности напр-я

Для исследование обратной ветви ВАХ диода

 

 


· В диоде Iобр↑ когда t↑

Электрические конденсаторы отличаются от остальных тем,что содержит: электролит,имеет большую величину емкости,требует опред.полярность включения

Диод

 

Стабилитрон – это кремневый диод предназначенная для стабилизации напряжения

Стабилитрон работает только на обратной ветви

Управление током и усиление сигналов в схемах п/п электронике осущ.с помощю транзисторов

Конденсатор – двухполюсник с определенным значением емкости и малой оптической проводимостью

Основной харак-кой явл. Его емкость и харак-ся способностью кон. Эл заряд С=q/U

Конденсатор также хар-ся удельной емкостью – отношением емкости к обьему диэлектрика j=c/v

Многие конд.с оксидным диэлектриком функционируют только при корректной полярности

 

Катушки индуктивности – используются для построение различных цепей с частотно-зависимыми свойствами в частности фильтров цепей обратной связи колебательных контуров итп

Катушки индуктивности используются в импульсных стабилизаторах как элемент накаливающий энергию и преобразующий уровни напряжения

Две и более индуктивно связанные катушки образуют трансформатор

Катушка используется в качестве электромагнитов

Катушки применяются в качестве источника энергии для возбуждения индуктивно-связанной пасушн

Величина магнитного потока, пронизывающий одновитковый контур связана с величиной тока следующим образом где индуктивность витка

Биполярным тр-м -называется п/п прибор с двумя заимоденств.улилительного своиство которых обусловлены явл инжекции и экстракции не основных н.зарядов

В трехслоином структуре имеется 2 p-n перехода: ЭП(эмиттерный перех) и КП

Источником тепловых шумов в тр-е явл – электронный составляющии токов p-n переходов




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 372; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.