Построение статических характеристик транзистора

Практическое выполнение задания

1) cмоделировать схему, представленную рис. 2.1 (тип биполярного транзистора задается в соответствии с номером варианта (таблица 2.1));

Рис. 2.1

Таблица 2.1

№ варианта	Марка транзистора	ЕК, В	RК, Ом	RЭ, Ом
	ВС107
	ВС107А
	ВD239
	2N2218
	2N2222
	2N2222А
	2N3904
	2N4401

2) снять показания измерительных приборов для построения семейства входных ВАХ исследуемого транзистора. Результаты измерений записать в табл. 2.2;

3) по полученным данным на миллиметровой бумаге построить семейство входных ВАХ транзистора .

4) снять показания измерительных приборов для построения семейства выходных ВАХ исследуемого транзистора. Результаты измерений записать в табл. 2.3;

Семейство входных ВАХ транзистора

Семейство выходных ВАХ транзистора

Таблица 2.2

Uкэ,В
,mA	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6
, В

Таблица 2.3

, мкА
	, В
,mA
	,mA
	,mA
	,mA
	,mA

5) по полученным данным на миллиметровой бумаге построить семейство выходных ВАХ транзистора ;

6) на семействе выходных ВАХ транзистора построить линию нагрузки по постоянному току, использую данные табл. 2.1 (Е_К и R_K);

7) задать начальное положение рабочей точки O (что соответствует примерно середине усилительного участка нагрузочной прямой);

8) рассчитать h - параметры транзистора относительно установленной рабочей точки;

9) используя формулы, представленные в таблице 1.1, рассчитать h -параметры для того же транзистора, включенного по схеме с общей базой.

2.2. Измерение коэффициента усиления по току в статическом режиме

1) смоделировать схему, представленную на рис. 2.2;

I_K

I_Б

I_Э

Рис.2.2

В цепь эмиттера включен источник тока, задающий ток в статическом режиме. Амперметрами измеряются постоянные токи в цепях базы и коллектора Iб и Iк. Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером в статическом режиме (интегральная характеристика) рассчитывается по формуле: h_21Э= Iк /Iб.

2) снять показания измерительных приборов и результаты измерений записать в табл. 2.4;

Таблица 2.4

Iэ,мА	0,1
Iб,мА
Iк,мА
h21Э

3) по полученным значениям построить зависимость В=f(Iк), из которой определить максимальное значение h_21Э для статического режима работы транзистора.

2.3. Измерение емкости коллекторно-базового перехода Ск

1) смоделировать схему, представленную на рис.2.3;

U_КБ

Рис. 2.3

Емкость обратносмещенного коллекторно-базового перехода С_к образует с сопротивлением резистора R_к делитель напряжения.

3) измерить значения постоянного U₁ и переменного U₂ напряжений;

4) рассчитать емкость С_к по формуле:

,

где F – частота источника синусоидального напряжения.

Измерения производятся при различных значениях постоянного напряжения коллектор-база путем изменения напряжения питания от 0,1 до 10 В.

5) результаты измерений и расчетов занести в табл. 2.5.

6) построить зависимость Ск=f(Uкб).

Таблица 2.5

Uкб,В	0.1
U1,мВ
U2,мВ
Ск,пкФ

Дата добавления: 2015-07-02