Методические указания по решению задачи

Для решения задачи изучите материал [Л.4, с.101-119, Л.5, с.ЗЗ-41]. Приведете условие задачи и таблицу с Вашим вариантом задания.

3.1. Приведите схему включения заданного полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме, при котором во входную цепь включаются источник смещения и источник сигнала, а в выходную цепь - источник смещения и нагрузка - потребитель.

Укажите полярность источников смещения и поясните ее. Если Вам задан полевой транзистор с управляющим р-п переходом (варианты 2, 4, 8, 10), объяснение полярности источников смещения должно быть следующим:

К стоку транзистора подключается такой полюс источника ес, который будет притягивать к себе основные носители заряда канала, создавая в нем ток

Основные носители определяются проводимостью канала (р или n). Полярность источника ез, подающего напряжение на затвор, также зависит от типа канала. К затвору транзистора подключается такой полюс источника, который создает обратное смещение на управляющем р-п переходе затвор-канал.

Если задан транзистор с встроенным каналом (варианты 1, 5, 7, 9), рассуждаем следующим образом. К стоку транзистора подключается полюс е_с противоположный знаку основных носителей заряда канала. Основные носители заряда определяются типом канала (р или n). Полюс источника е_з подающего напряжение на затвор, зависит от типа канала и режима работы транзистора (обогащения или обеднения).

К затвору транзистора с встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, подключается полярность источника е_з совпадающая с полярностью основных носителей. К затвору транзистора с встроенным каналом, работающего в режиме обогащения, подключается полярность источника е_з противоположная полярности основных носителей заряда.

Если задан транзистор с индуцированным каналом (варианты 3, 6), объяснение источников смещения следующее

К стоку транзистора подключается полюс источника е_с, противоположный знаку основных носителей заряда канала. К затвору транзистора с индуцированным каналом подключается полюс источника е_з, который создает резким обогащения, т.е. противоположный полярности основных носителей заряда в канале.

Полярность основных носителе заряда.определяется полярностью канала (р или n).

3.2. Приведите стоковые и стоко-затворную характеристики транзистора (в общем виде). Для этого обратитесь к (Л.5, рис 36, 39, 42].

Приводя характеристики, учитывайте заданные тип транзистора и тип канала, а для транзистора с встроенным каналом и режим работы транзистора (обогащения или обеднения).

Полярность источников смещения е_с и е_з, на схеме должна соответствовать знаку напряженности u_си и u_зи на характеристиках.

Приведите обозначение, название и поясните физический смысл статических параметров полевого транзистора, а также расчетные формулы этих параметров [Л.5, с.39-40]. На графике стоковых характеристик укажите принцип графического расчета параметров. На рисунке 2 приведен пример такого расчета. Рабочую точку выберите произвольно в середине линейной части одной из стоковых характеристик.

Крутизна S=ΔI_c/ΔU_зи | U_си=const.

Внутреннее сопротивление R_i=ΔU_сb/ΔI_c | U_зи=const.

3.4. Сравнивая молевой и биполярный транзисторы по указанным параметрам, обратитесь к [Л.3, с.40].

Рис 2. Стоковые характеристики полевого транзистора

Задача 4

1. Укажите назначение усилителя ОУ и его преимущества,

2. Приведите схему на ОУ, выполняющую заданную функцию, поясните назначение элементов схемы.

3. Рассчитайте элементы схемы и значения выходного сигнала.

Таблица 4

№ варианта	Назначение схемы	Данные для расчета элементов схемы
	Активной фильтр низких частот	fср=lкГц Кфнч=100 Rис=1кОм
	Инвертирующий усилитель	Uвх=10мВ К=250 Rис=800Ом
	Активный фильтр высоких частот	fср=lкГц Кфвч=50 Rис=2кОм
	Неинвертирующий усилитель	Uвх=50мВ К=125 Кис=1,8кОм
	Активный фильтр высоких частот	fср=3кГц Кфвч=80 Rис=1,1кОм
	Инвертирующий сумматор трех сигналов без усиления суммарного сигнала	Uвх1=10мВ Uвх2=7мВ Uвх3=5мВ Rис1=Rис2=Rис3=1кОм
	Активный фильтр высоких частот	fср=2кГц Кфвч=60 Rис=1,5кОм
	Вычитающий усилитель	Uвх1=50мВ Uвх2=70мВ К=150 Rис1=Rис2=820Ом
	Активный фильтр низких частот	fср=l,5кГц Кфнч=90 Rис=1,2кОм
	Вычитающий усилитель	Uвх1=45мВ Uвх2=10мВ К=40 Rис1=Rис2=2кОм

Дата добавления: 2015-06-27