Заглавными буквами

Контрольные вопросы

Сформировать и отпечатать отчет

В отчете необходимо дать выводы по полученным результатам и сопоставить их со справочными данными.

1. Дайте определение а) истинной работы выхода; б) термоэлектронной работы выхода.

2. Что такое контактная разность потенциалов? От каких параметров контактирующих тел зависит ее величина?

3. Начертите энергетическую диаграмму контакта металл- полупроводник для донорного и акцепторного полупроводников при различных соотношениях термоэлектронных работ выхода.

4. Что такое барьерная и диффузионная емкости?

5. При каких соотношениях термоэлектронных работ выхода на контакте металл-полупроводник реализуется запорный контакт: а) для донорного полупроводника; б)акцепторного полупроводника.

6. Какие полярности внешнего напряжения соответствуют прямому и обратному включению?

7. От каких параметров полупроводника зависит значение барьерной ёмкости?

ЛИТЕРАТУРА

1. Твердотельная электроника: учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений/[Э.Н. Воронков, А.М. Гуляев, И.Н. Мирошникова, Н.А. Чарыков]. – М.: Издательский центр «Академия», 2009. – 320 с.

2. Солдатов В.С., Хирин В.Н. Контактные явления, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников: Лабораторные работы № 7-10: Методическое пособие по курсу «Физика полупроводников». – М.: Издательство МЭИ, 2005. – с. 28.

3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Мир, 1984.– Т.1-2.

4. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – М.: Высш. шк., 1987.

5. Малер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989.

СОДЕРЖАНИЕ

Лабораторная работа №1. 3

Лабораторная работа №2. 33

ЛИтература.. 57

ЛИтература

6. Твердотельная электроника: учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений/[Э.Н. Воронков, А.М. Гуляев, И.Н. Мирошникова, Н.А. Чарыков]. – М.: Издательский центр «Академия», 2009. – 320 с.

7. Солдатов В.С., Хирин В.Н. Контактные явления, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников: Лабораторные работы № 7-10: Методическое пособие по курсу «Физика полупроводников». – М.: Издательство МЭИ, 2005. – с. 28.

8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Мир, 1984.– Т.1-2.

9. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – М.: Высш. шк., 1987.

10. Малер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989.

СОДЕРЖАНИЕ

Лабораторная работа №1. 3

Лабораторная работа №2. 33

ЛИтература.. 56

* Для лиц не достигших 18 лет: обязательно приложить ксерокопию последней страницы паспорта родителя/опекуна, копию свидетельства о рождении, нотариально заверенное разрешение на выезд от обоих родителей (адресованное в компетентные органы)

1. ФИО РУССКИЙ
2. Название и дата планируемой поездки РУССКИЙ
3. Фамилия ЛАТИНИЦА
4. Фамилия при рождении ЛАТИНИЦА
5. Имя ЛАТИНИЦА
6. Дата рождения: ГГГГ-ММ-ДД
7. Место рождения: (город, область, страна) ЛАТИНИЦА
8. Государство рождения: ЛАТИНИЦА
9. Гражданство настоящее: ЛАТИНИЦА
10. Гражданство при рождении: ЛАТИНИЦА
11. Пол: М, Ж
12. Семейное положение: холост/не замужем, женат/замужем, разведен(а)
13. Идентификационный номер/личный номер:
14. Серия и номер паспорта:!!!СЕРИЯ ЛАТИНИЦЕЙ
15. Дата выдачи: ГГГГ-ММ-ДД
16. Действителен до: ГГГГ-ММ-ДД
17. Кем выдан:
18. Адрес регистрации(как в паспорте): ЛАТИНИЦА
20. Номер телефона: сотовый
21. Электронная почта:
22. Название Вашей организации/уч.заведения: ЛАТИНИЦА БЕЗ СОКРАЩЕНИЙ!!!
23. Ваша должность (СТУДЕНТ)
24. Адрес места работы или учебы ЛАТИНИЦА
26. Рабочий телефон или телефон места учебы
27. Шенгенские визы (за последние 3 года) указать с какого по какое число выданы: ГГГГ-ММ-ДД
28. Вы подтверждаете правильность внесенных данных?	ДА

Дата добавления: 2015-06-28